专利名称：硅的外延生长方法、半导体器件及其形成方法专利类型：发明专利发明人：黄康,徐灵芝,张志刚申请号：CN201811013484.8申请日：20180831公开号：CN109192654A公开日：20190111
摘要：本发明提供了一种硅的外延生长方法、半导体器件及其形成方法。包括：提供一半导体衬底，半导体衬底具有一有源区和一隔离区；执行非选择性外延生长工艺，以在有源区上生长第一晶体硅层，以及在隔离区上生长第二晶体硅层；执行选择性刻蚀工艺，以选择性去除第二晶体硅层；以及，执行选择性外延生长工艺，以在第一晶体硅层上外延生长出第三晶体硅层，第一晶体硅层和第三晶体硅层具有相同的晶向，并共同用于形成一外延层。本发明中的硅的外延生长方法，最终生长出的外延层的外延厚度与外延宽度的比值在4/5～5/3范围内可调控，保证了最终形成的半导体器件的性能和适用性。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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