专利名称：一种聚偏二氟乙烯材料的制备方法专利类型：发明专利发明人：段万宝
申请号：CN201610235820.8申请日：20160418公开号：CN107304280A公开日：20171031
摘要：本发明公开了一种聚偏二氟乙烯材料的制备方法，包括以下步骤；步骤1)制备粉末状聚偏氟乙烯，1)反应釜中投入原料，在‑4‑10℃的温度下，搅拌反应20‑40分钟；2)再通入聚丙二醇溶液、偏氟乙烯单体、甲基环戊烷，在30‑40℃搅拌反应，压力下降至0.2‑0.45MPa以下时终止反应；3)将温度下降到5‑10℃，并保持20‑35分钟，然后过滤、洗涤、干燥，即得粉末状聚偏氟乙烯；步骤2)，将粉末状聚偏氟乙烯、烯酸、二苯甲酮、聚乙烯蜡、硬脂酸锌和聚乙烯吡咯烷酮添加到造粒机，进行造粒作业，制得聚偏氟乙烯塑料母料；步骤3)将聚偏氟乙烯塑料母料添加到注塑机，注塑温度控制在280‑330℃，制得聚偏氟乙烯材料，产品耐压性能良好、无需支撑层、孔径较为均一，其制备的偏氟乙烯具有良好的热稳定性和可加工性。
申请人：深圳市万福格聚合物科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市南山区高新区南环路29号留学生创业大厦1703室
国籍：CN
代理机构：昆明合众智信知识产权事务所
代理人：张玺
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