专利名称：一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路专利类型：实用新型专利发明人：魏榕山,李睿,于静申请号：CN201620448026.7申请日：20160517公开号：CN205622620U公开日：20161005
摘要：本实用新型涉及一种实现与非、或非门逻辑的忆阻器电路，包括忆阻器M1与忆阻器M2；忆阻器M1的正端与NMOS管N1的漏极、NMOS管N2的源极连接，忆阻器M1的负端与NMOS管N5的源极、NMOS管N6的漏极连接，N1的源极与N5的漏极连接并作为输入端V1；忆阻器M2的正端与NMOS管N3的源极、NMOS管N4的漏极连接，忆阻器M2的负端与NMOS管N7的漏极、NMOS管N8的源极连接，N4的源极与N8的漏极连接并作为输入端V2；N2的漏极、N3的漏极、N6的源极、N7的源极与反相器的输入端V3互相连接，反相器的输出端作为忆阻器电路的输出端Vout；NMOS管N1、N4、N6与N7的栅极连接至A选择端，NMOS管N2、N3、N5与N8的栅极连接至B选择端。本实用新型为忆阻器在逻辑运算中可发挥的作用提供了一种新的思路。
申请人：福州大学
地址：350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号
国籍：CN
代理机构：福州元创专利商标代理有限公司
代理人：蔡学俊
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