专利名称：一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法专利类型：发明专利
发明人：叶超,廖良生,袁大星,王响英申请号：CN201410315333.3申请日：20140703公开号：CN104152850A公开日：20141119
摘要：本发明公开了一种掺杂多孔SiCOH低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于以DMCPS环有机硅烷为前驱体，以含有弱极化元素或基团的CH、CHF中的至少一种作为掺杂源，采用电子回旋共振等离子体方法来制备薄膜。本发明提供的这种制备方法，其核心是向前驱体中掺入含有弱极化元素或基团的掺杂源，由于掺入大尺寸的CH基团或弱极化的F原子，能够有效降低介电常数，确保最终得到的低介电常数薄膜既有适当的孔隙率，又有良好的薄膜特性。
申请人：苏州大学
地址：215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
国籍：CN
代理机构：北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：程美琼
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