专利名称：一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法专利类型：发明专利发明人：刘宏明,李升,左浩申请号：CN201811427010.8申请日：20181127公开号：CN109537052A公开日：20190329
摘要：本发明涉及金刚石衬底处理的技术领域，特别是涉及一种CVD单晶金刚石生长预处理的方法，其可以在开始生长前对衬底进行预处理，清除衬底表面的污染物，提高生长出的单晶金刚石的质量和纯度；包括以下步骤：（1）衬底选择；（2）超声波清洗；（3）第一次干燥处理；（3）化学清洗；（4）第二次干燥处理；（5）衬底转移；（6）调整腔体内的参数；（7）混合刻蚀；（8）氢气刻蚀。
申请人：西安碳星半导体科技有限公司
地址：710000 陕西省西安市国家民用航天产业基地东长安街888号LED产业园1号楼1层厂房南半部
国籍：CN
代理机构：石家庄领皓专利代理有限公司
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