专利名称：非易失性存储器的制造方法专利类型：发明专利
发明人：曾俊元,林孟汉,吴明錡申请号：CN200910152362.1申请日：20090626公开号：CN101931047A公开日：20101229
摘要：本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，上述非易失性存储器是形成于一基板上，包括于上述基板上形成一下导电层；于上述下导电层上形成一缓冲层，其包含一镍酸镧薄膜；利用一沉积工艺，于上述缓冲层上形成一电阻层，其中上述电阻层包含一无掺质之锆酸锶薄膜；对上述电阻层进行一退火工艺；于上述电阻层上形成一上导电层。本发明的非易失性存储器的电阻层是利用一沉积工艺和一退火工艺形成，该退火工艺是用以减少该电阻层内部的氧缺陷，使元件有更稳定的电性。相较于未经退火工艺处理电阻层的比较例的非易失性存储器，本发明的非易失性存储器于操作电压、高电阻值记忆状态、低电阻值记忆状态的稳定性以及产品良品率皆有大幅改善。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：任默闻
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