专利名称：一种过渡族元素掺杂的室温铁磁性二维材料及制备
方法
专利类型：发明专利发明人：吴幸,王超伦,骆晨申请号：CN201910680893.1申请日：20190726公开号：CN110294463A公开日：20191001
摘要：本发明公开了一种过渡族元素掺杂的室温铁磁性二维材料及制备方法，该方法可以实现Fe元素均匀掺杂的二维VFeSe纳米片的制备。该制备方法包括两步：第一步用化学气相输运方法制备VFeSe块体单晶，第二步用液相剥离法将块体VFeSe单晶减薄为二维VFeSe纳米片。未掺杂的VSe块体材料没有磁性，掺杂后的二维VFeSe纳米片具有室温铁磁性。具体步骤包括：1）称量符合摩尔比的元素单质密封在石英管的一端；2）通过化学气相输运生长块体VFeSe单晶；3）用甲酰胺溶剂，采用液相剥离法将块体VFeSe单晶减薄为二维VFeSe纳米片。4）通过离心收集溶液中剥离的二维VFeSe纳米片。本发明制备的二维VFeSe纳米片掺杂均匀，具有室温铁磁性，在高性能自旋电子器件领域有广泛的应用前景。
申请人：华东师范大学
地址：200241 上海市闵行区东川路500号
国籍：CN
代理机构：上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
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