专利名称：包括纳米浮栅的非易失性存储设备及制造该设备的
方法
专利类型：发明专利发明人：金俊亨
申请号：CN201410806527.3申请日：20141219公开号：CN104733467A公开日：20150624
摘要：一种非易失性存储设备包括：用于在衬底上面进行电荷的充电和放电的浮栅，其中所述浮栅包含：在所述衬底上面形成并包括被结合到金属离子的连接基团的连接层；以及在所述连接层上面由所述金属离子形成的金属纳米粒子。
申请人：SK新技术株式会社
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
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