专利名称：一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管及其
制备方法
专利类型：发明专利
发明人：姚日晖,章红科,宁洪龙,郑泽科,李晓庆,张啸尘,蔡炜,
徐苗,王磊,彭俊彪
申请号：CN201810072557.4申请日：20180125公开号：CN108231907A公开日：20180629
摘要：本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、SiN栅极绝缘层、IGZO半导体层、AlO半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述SiN栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与SiN栅极绝缘层、IGZO半导体层和AlO半导体修饰层两侧均接触。本发明的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。
申请人：华南理工大学
地址：510640 广东省广州市天河区五山路381号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：罗啸秋
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