专利名称：一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法
与应用
专利类型：发明专利
发明人：范建东,刘冲,李闻哲,麦耀华申请号：CN201811049143.6申请日：20180910公开号：CN109411554A公开日：20190301
摘要：本发明属于钙钛矿太阳电池领域，具体涉及一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。所述薄膜分子式为MX:CsPbIBr，其中MX的掺杂浓度0.125～0.5％，所述无机钙钛矿型太阳电池从下至上依次包括：透明导电玻璃、空穴传输层、上述钙钛矿层、非有机电子传输层以及金属电极。本发明通过阴阳离子共掺杂所制备的无机钙钛矿薄膜不存在杂相，物相更纯，具有更优异的空气稳定性。本发明的太阳电池，具有更优异的光伏性能，不含有机层电子传输层的器件结构能够大大提升电池整体器件的热稳定性。
申请人：暨南大学
地址：510632 广东省广州市天河区黄埔大道西601号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：陈燕娴
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