专利名称：一种半导体器件的制造方法及半导体器件专利类型：发明专利发明人：赵猛
申请号：CN201710432841.3申请日：20170609公开号：CN109037070A公开日：20181218
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构；对所述半导体衬底中临近所述栅极堆叠结构的区域进行离子注入并实施第一退火工艺，以形成轻掺杂漏离子注入区；在所述栅极堆叠结构和所述半导体衬底表面沉积第一氮化物层；在所述第一氮化物层表面形成氧化层。采用本发明的方法，在沉积的第一氮化物层表面形成氧化层，氧化层中的部分氧原子会扩散到第一氮化物层中，代替第一氮化物层中的氢键，从而抑制轻掺杂漏离子注入区的杂质离子的扩散，改善掺杂剂量的损失，进而提高载流子迁移率，降低电阻，改善短沟道效应，提高半导体器件良率和性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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