专利名称：一种金属硬掩膜、多层互连结构及其制备方法专利类型：发明专利发明人：孟昭生,曾伟雄申请号：CN201910803849.5申请日：20190828公开号：CN112447514A公开日：20210305
摘要：本发明提供一种金属硬掩膜，所述金属硬掩膜为多层互连结构中的金属硬掩膜，所述多层互连结构包括：布线结构，在所述布线结构上设置的阻挡薄膜，在所述阻挡薄膜上设置的层间介质层，以及在所述层间介质层上设置的所述金属硬掩膜层；其中，所述金属硬掩膜的材料包括TiO。在本发明中，采用TiO作为金属硬掩膜层，从而替换了现有技术中TEOS/TiN/SiO叠层的金属硬掩膜结构，这在一方面可以减少工艺流程、降低制备时间及制备成本，同时可以降低PETEOS和PEOX中的缺陷。本发明还提供了一种多层互连结构及制备方法，具备上述技术效果。
申请人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
地址：266555 山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼
国籍：CN
代理机构：北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陈敏
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容