专利名称：一种三态与非门电路及芯片专利类型：发明专利发明人：南海卿
申请号：CN202011249809.X申请日：20201110公开号：CN112311386A公开日：20210202
摘要：本发明实施例公开一种三态与非门电路及芯片，涉及半导体技术领域，包括：多个碳纳米管，其栅极为信号输入端；第一与第二碳纳米管的漏极连接，第二纳米管的源极接电源地，第三与第四碳纳米管并联，其源极分别接第一供电电源，漏极分别与第一碳纳米管源极连接为信号输出端；第七与第八碳纳米管并联，其源极分别接第二供电电源；第七及第八碳纳米管漏极分别与第五碳纳米管源极连接，第五碳纳米管栅极与第六碳纳米管源极连接，第六碳纳米管栅极与第三碳纳米管及第四碳纳米管漏极连接；第一与第二、第三与第四、第五与第六、第七与第八的阈值电压相同。便于降低芯片上功能电路拓扑的复杂程度，在一定程度可提高芯片性能。
申请人：成都海光集成电路设计有限公司
地址：610041 四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋天府软件园E5座11层22-31号
国籍：CN
代理机构：北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人：张仲波
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