专利名称：一种沟槽式场效应晶体管专利类型：实用新型专利发明人：陈石元
申请号：CN201920221201.2申请日：20190221公开号：CN209626227U公开日：20191112
摘要：一种沟槽式场效应晶体管，本实用新型涉及半导体技术领域；衬底的上表面中部固定有一号石墨烯层；一号石墨烯层的左右两侧均设有一号外延层；一号外延层固定在衬底的上表面上；左右两侧的一号外延层以及一号石墨烯层的上侧设有二号外延层；二号外延层中部内从左到右依次设有数排硼扩散区组；二号外延层的上侧设有二号石墨烯层；二号石墨烯层中部的凹槽内设有二号栅氧化层；二号石墨烯层的上表面左右两侧分别设有源电极和漏电极；提高沟槽式场效应晶体管击穿电压的功能。
申请人：深圳市鑫飞宏电子有限公司
地址：518000广东省深圳市龙华区大浪街道高峰社区龙观西路2号B2101宝龙大厦B2101-2104室
国籍：CN
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