专利名称：半导体集成电路及其操作方法专利类型：发明专利
发明人：小山秀穗,黑泽稔,板垣吉弥申请号：CN201910223030.1申请日：20150313公开号：CN110033794A公开日：20190719
摘要：本发明涉及半导体集成电路及其操作方法。本发明实现了在不采用外部CPU进行数字校正的情况下检测电动机速度的校准操作。当零电流流过电动机时并且当臂固定时，校准操作计算与反EMF检测器电路的反EMF检测信号对应的比较基准值。因此，响应于流过电动机的非零电流，将反EMF检测器电路的反EMF检测信号设置为第一值和第二值，并且半导体集成电路从第一值和第二值计算比较基准值。通过由调节单元调节反EMF检测器电路的内部放大器的增益，减小作为反EMF检测器电路的反EMF检测信号的比较输入值和比较基准值之差。
申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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