专利名称：应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置专利类型：发明专利发明人：冯涛,孙明
申请号：CN200810082659.0申请日：20080226公开号：CN101256951A公开日：20080903
摘要：本发明公开一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置。该装置包括保持高温研磨和/或切割带以形成支撑结构的外环。超薄晶片或切割后的晶片被黏附到该带上的所述环内以进行晶片背面处理工艺。晶片背面处理工艺包括晶片位于所述支撑结构上时进行的离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发。本发明也公开了所述支撑结构的其他使用，包括具有金属化侧壁的芯片的制造。
申请人：万国半导体股份有限公司
地址：百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院
国籍：BM
代理机构：上海申汇专利代理有限公司
代理人：白璧华
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