专利名称：MEMS器件形成方法专利类型：发明专利
发明人：谢红梅,许继辉,于佳,汪新学,赵洪波申请号：CN201310439622.X申请日：20130924公开号：CN104445049A公开日：20150325
摘要：一种MEMS器件形成方法，包括：提供第一基底，所述第一基底内具有开口；在所述第一基底表面贴合第二基底；在贴合后的第二基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有吸附含碳的聚合物能力；在所述第一掩膜层表面形成光刻胶图案层；以光刻胶图案层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，直至暴露出第二基底；去除光刻胶图案层；以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜，刻蚀第二基底直至贯穿所述第二基底。本实施例形成的MEMS器件可靠性高。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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