专利名称：光刻胶去除方法及光刻胶重制方法专利类型：发明专利
发明人：邱靖尧,谢玟茜,刘立尧,胡展源申请号：CN201910908698.X申请日：20190925公开号：CN110581065A公开日：20191217
摘要：本发明涉及光刻胶去除方法及光刻胶重制方法，涉及半导体集成电路的制造技术，在光刻胶去除过程中，首先使用含氧的气体对光刻胶层进行第一次等离子体刻蚀，去除晶圆表面一定高度的光刻胶，并在晶圆表面保留一定高度的光刻胶，然后使用含氢的气体对剩余的光刻胶层进行第二次等离子体刻蚀，将剩余的光刻胶层全部去除，如此兼具了使用含氧的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺和使用含氢的气体对光刻胶层进行等离子体刻蚀工艺的优点，而避免缺陷产生，进而提高半导体器件的良率。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：张彦敏
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