专利名称：一种改善磁控溅射膜厚均匀性的方法专利类型：发明专利
发明人：王涛,陈超,于贺,吴志明,蒋亚东申请号：CN200910167703.2申请日：20090922公开号：CN101660134A公开日：20100303
摘要：本发明公开了一种改善磁控溅射膜厚均匀性的方法，是在基片与靶材两个平面中间设置最佳修正挡板，基片、靶材和修正挡板中心同轴，建立较为接近实际情况的挡板理论模型，计算出实现膜厚最佳均匀性的挡板参数，一定程度上减少了基片上靠近圆心处的沉积速率，从而实现均匀性的优化和改进。
申请人：电子科技大学
地址：610054 四川省成都市建设北路二段四号
国籍：CN
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