专利名称：一种制备纳米层状二硫化钼的方法专利类型：发明专利
发明人：刘阳桥,冯景伟,孙静,高濂,王焱,谢晓峰申请号：CN201310704356.9申请日：20131219公开号：CN103641172A公开日：20140319
摘要：本发明公开了一种制备纳米层状二硫化钼的方法，其包括如下步骤：a)将二硫化钼粉体加入到液氮中，进行搅拌或超声，直至液氮完全挥发；b)将经步骤a)处理过的二硫化钼粉体加入有机溶剂中，进行超声处理，得到分散液；c)将步骤b)得到的分散液进行离心分离。该方法的优点是效率高，适用于工业生产；采用物理过程，产物清洁无污染，制备的MoS可用于光伏电池、锂离子电池等领域；而且该方法可以广泛应用于细化、剥离其他层状硫化物材料。
申请人：中国科学院上海硅酸盐研究所
地址：200050 上海市长宁区定西路1295号
国籍：CN
代理机构：上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：何葆芳
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