专利名称：一种MOS晶体管结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：李睿,尹海洲,刘云飞申请号：CN201310714649.5申请日：20131220公开号：CN104733319A公开日：20150624
摘要：本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法，包括：a.提供半导体衬底和伪栅叠层；b.在所述伪栅叠层两侧上形成淀积第一侧墙部分；c.在所述淀积第一侧墙部分垂直于衬底的表面上形成第二侧墙部分；d.去除所述第一侧墙部分位于伪栅叠层顶部以及源漏扩展区上位于第二侧墙部分外侧的部分，形成侧墙；e.在伪栅叠层两侧的衬底中形成源漏区，并形成层间介质层；f.去除所述伪栅叠层以形成开口，并在所述开口中在该位置填充栅极叠层；g.去除所述侧墙，形成空位；h.在所述层间介质层和伪栅叠层上淀积牺牲材料层使其填充空位顶部，并进行化学机械抛光，直至露出栅极叠层顶部。与现有技术相比，本发明有效地减小了栅极寄生电容，提高了器件性能。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：朱海波
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