（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201120244608.0 （22）申请日 2011.07.12 （71）申请人 袁萍
地址 100097 北京市海淀区蓝靛厂南路25号牛顿办公区北区11层
（10）申请公布号 CN202167449U
（43）申请公布日 2012.03.14
（72）发明人 袁萍
（74）专利代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 刘兰
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
双束离子源
（57）摘要
一种双束离子源，包括等离子体产生
和引出系统两部分，等离子体产生部分的腔体内固定有使腔体分成两个独立腔室的固定板，且在每个独立腔室上部设有把气体引入独立腔室的进气孔，在在每个独立腔室下部设有从其内引出离子束的离子引出窗口，在对应离子引出窗口的引出系统上分别设有引出束流孔。本新型结构，可用一套离子源设备同时产生两种离子束，这种设备可用于离子镀膜，复合沉积等表面处理技术，可以增加设备功能，提高设备性能，降低生产成
本。 法律状态
法律状态公告日
2012-03-14 2012-03-14 2019-07-09
授权 授权 专利权的终止
法律状态信息
授权 授权
法律状态
专利权的终止
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说明书
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