第４ｌ卷第３期 兰州理工大学学报 Ｖ０Ｌ ４１ Ｎｏ．３ ２０１５年６月 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌａｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｊｕｎ ２０１５ 文章编号：１６７３—５１９６（２０１５）０３－００３２－０４ 溶胶一凝胶法制备Ｌｉ—Ｎ共掺ＺｎＯ纳米 薄膜及其性能表征 张建斌，吕从燕，于富成，王 雷 （兰州理工大学材料科学与工程学院，甘肃兰州 ７３００５０） 摘要：采用溶胶～凝胶法在石英衬底上沉积Ｌｉ－Ｎ共掺ＺｎＯ纳米薄膜，研究热处理温度和Ｌｉ掺杂浓度对ＺｎＯ薄膜 结构和光学性能的影响．结果表明：适度的Ｌｉ掺杂，以及随着热处理温度的适度升高，会导致ＺｎＯ（Ｏ０２）峰的半峰 宽减小，薄膜结晶质量明显改善，但过高浓度的掺杂或过高的热处理温度，则会诱发新的缺陷，导致结晶质量下降． 另外Ｌｉ掺杂引起ＺｎＯ薄膜的光学带隙发生变化，从而使样品在未掺杂时以紫光发光最强而掺杂后样品以紫外发 光最强． 关键词：溶胶一凝胶法；ＺｎＯ纳米薄膜；掺杂 中图分类号：ＴＢ３４ 文献标识码 Ａ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｌｉ—Ｎ ｃｏ－ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｎａｎｏ－ｆｉｌｍ ｗｉｔｈ ｓｏｌ—ｇｅｌ ｍｅｔｈ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｔｓ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ＺＨＡＮＧ Ｊ ｉａｎ－ｂｉｎ，ＬＵ Ｃｏｎｇ—ｙａｎ，ＹＵ Ｆｕ－ｃｈｅｎｇ，ＷＡＮＧ Ｌｅｉ （Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｌａｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖ．ｏｆ ＴｅｃＫ，Ｌａｎｚｈｏｕ ７３００５０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ ｔｈｉｓ ａｒｔｉｃｌｅ，Ｌｉ—Ｎ ｃｏ－ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｔｈｉｎ ｎａｎｏ－ｆｉｌｍ ｗａｓ ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ ｏｎ ｑｕａｒｔｚ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｗｉｔｈ ｓｏｌ－ ｇｅＩ ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｌｉ ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｎ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｚｎ０ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｗａｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｓｈｏｗｅｄ ｔｈａｔ ｗｈｅｎ ｔｈｅ Ｌｉ ｄｏｐｉｎｇ ｗａｓ ｍｏｄｅｒａｔｅ，ｔｈｅ ｈａｌＬｈｉｇｈ ｐｅａｋ ｗｉｄｔｈ ｏｆ（００２）ｐｅａｋ ｏｆ Ｚｎ０ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｗｏｕｌｄ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｍｏｄｅｒａｔｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ，ｍａｋｉｎｇ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｑｕａｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｌｍ ｒｅｍａｒｋａｂｌｙ ｉｍｐｒｏｖｅｄ． Ｏｔｈｅｒｗｉｓｅ，ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｗｉｔｈ ｅｘｃｅｓｓｉｖｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｒ ｈｅａｔ—ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｗｏｕｌｄ ｂｒｉｎｇ ａｂｏｕｔ ｎｅｗ ｄｅｆｅｃｔ ａｎｄ ｒｅｓｕｌｔ ｉｎ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｑｕａｌｉｔｙ ｏｆ ｔｈｅ ｆｉｌｍ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｔｈｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｂａｎｄ－ｇａｐ ｏｆ ｔｈｅ ＺｎＯ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｗｏｕｌｄ ｂｅ ｍｏｄｉｆｉｅｄ ｂｙ ｔｈｅ Ｌｉ ｄｏｐｉｎｇ，ｍａｋｉｎｇ ａ ｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｔｈｅ ｓｔｒｏｎｇｅｓｔ ｐｈｏｔｏ－ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｆｒｏｍ ｖｉｏｌｅｔ ｉｎ ｕｎｄｏｐｅｄ ｓａｍｐｌｅ ｔｏ ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ ｉｎ ｄｏｐｅｄ ｓａｍｐｌｅｓ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ；ｓｏｌ—ｇｅｌ ｍｅｔｈｏｄ￣ＺｎＯ ｎａｎｃ＞ｆｉｌｍ；ｄｏｐｉｎｇ 氧化锌是一种新型的直接宽带隙半导体材料， 为了实现ＺｎＯ在光电器件中的实际应用，在提 室温下禁带宽度为３．３７ ｅＶ，激子束缚能约为６０ 高ＺｎＯ薄膜晶体的同时，必须对ｚｎＯ的导电特性 ｍｅＶ，在透明导电电极、发光二极管、传感器等领域 控制及对能带调节，即对ｚｎＯ进行合理化掺杂． 有着巨大的应用前景．ＺｎＯ具有很好的成膜性，目 ｚｎＯ掺杂的早期研究主要是单一元素的掺杂，集中 前主要的制备技术有金属有机化学气相沉积ｌ¨、磁 在Ｉ族元素和Ｖ族元素，然而，单一元素的掺杂效 控溅射 ］、脉冲激光沉积Ｅａ］、化学气相沉积ｌ４］、溶胶一 果并不理想，尤其是在Ｐ型ＺｎＯ的薄膜制备方面更 凝胶法［ 。 等，其中溶胶一凝胶法的制备工艺相对简 不理想，因此使用多元素共掺杂越来越引起了学者 单，不需要真空条件，成本低，组分调整灵活，易于在 们的关注口墙］，共掺杂起到了比单一元素掺杂更好的 在不同基底上较大面积成膜而被广泛采用． 效果．然而，就目前的研究成果来看，采用溶胶一凝胶 法制备Ｉ ｉ—Ｎ共掺杂ＺｎＯ薄膜的研究则少有报导． 收稿日期：２０１４—１２～１６ 本文重点研究掺杂浓度和制备工艺条件对溶胶～凝 作者简介：张建斌（１９７２一），舅，甘肃秦安人，副教授 胶法制备ＺｎＯ薄膜的结构和光学特性的影响． 第３期 张建斌等：溶胶一凝胶法制备Ｌｉ－Ｎ共掺ＺｎＯ纳米薄膜及其性能表征 １实验 １．１溶胶液的制备 展，因此，过渡层的存在明显减弱了衬底材料的晶格 对ＺｎＯ薄膜晶体结构的影响，提高了薄膜的晶体质 量． 实验采用二水合醋酸锌Ｚｎ（Ｃｔ－ｈ ＣＯＯ）２・２Ｈ２ Ｏ、 无水氯化锂ＬｉＣＩ、硝酸铵ＮＨ ＮＯ。为溶质，无水乙 醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂．所用药品均为分析纯． 将一定量的二水合醋酸锌、硝酸铵和无水氯化 锂加入无水乙醇中，然后加入与二水合醋酸锌相等 摩尔分数的乙醇胺，其中ｎ（ＬｉＣ１）：ｎ（ＮＨ ＮＯｓ）一 １：１．混合液在７ｏ℃条件下搅拌２ ｈ后，便得到ｕ 与Ｚｎ原子比分别为０：１００、５：１００、１０：１００、１５ １００、２０：１００的５组澄清、透明的溶胶液．将溶胶液 于室温下静置４８ ｈ，以备薄膜的涂覆． １．２薄膜的制备 将清洗洁净的石英基片置于ＫＷ－４Ａ型匀胶机 中，用上述配好的溶胶液进行涂膜，２ ５００ ｒ／ｍｉｎ转 速下旋转３０ ｓ．然后将样品在８Ｏ℃条件静置干燥 １０ ｍｉｎ后，再次以相同条件旋涂１次．将该薄膜试 样放入管式炉中退火处理２ ｈ后便得到ＺｎＯ过渡 层样品．然后在带有过渡层的试样上继续重复上述 Ｏ Ｏ∞舳加∞如柏 Ｏ Ｏ Ｏ ０ Ｏ Ｏ Ｏ加ｍ Ｏ Ｏ 的旋涂和干燥过程一定次数后，再次在管式炉中按 设定温度进行退火处理２ ｈ． １．３薄膜的表征 利用ＸＲＤ表征薄膜试样的晶体结构，射线源 为Ｃｕ Ｋａ射线， －－－０．１５４０ ６ ｎｍ；用Ｆ９７Ｐｒｏ型荧光 分光光度计测试样品的室温ＰＬ光谱，发射光源采 用波长为３２５ ｎｍ的Ｘｅ灯激发，在３７０－－６００ ｎｍ测 试．采用配有积分球的ＴＵ１９Ｏ１型双光束紫外可见 分光光度计测试样品的漫反射光谱． ２结果与讨论 图１为６００℃条件下退火处理的ＺｎＯ薄膜的 ＸＲＤ图谱．试样Ａ１为薄膜在制备过程中预制了 ＺｎＯ过渡层，Ａ２没有过渡层．对ＸＲＤ数据处理分 析，可知Ａ１、Ａ２的（００２）衍射峰和半高宽分别为 ３４．５０１。／ｏ．２２７。和３４．５３９。／ｏ．３２８。，Ａ１各衍射峰强 度要高于Ａ２，结晶质量也好于Ａ２样品，这主要是 由于过渡层的引入减小了膜与衬底之间的晶格不匹 配程度．晶格常数的不匹配程度使薄膜与基片表面 存在较大的位错，这增大了晶格常数的畸变，而晶格 的畸变与晶粒半径成反比，因此，有过渡层的Ａ１薄 膜的结晶质量明显优于没有过渡层的Ａ２样品．在 Ａ２样品中，（００２）峰呈现了很强的择优趋势，显示了 衬底对薄膜晶体生长的影响；而在Ａ１样品中，同样 作为特征峰的（１００）峰和（１０１）峰则得到了更好的发 ２０／（。） 图１样品Ａ１和Ａ２的ＸＲＤ图谱 Ｆｉｇ．１ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｓａｍｐｌｅｓ Ａ１ ａｎｄ Ａ２ 图２为不同Ｉ ｉ掺杂量的ＺｎＯ薄膜经过６００℃ 退火后得到的ＸＲＤ图谱，试样Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５ 分别代表由Ｌｉ与Ｚｎ原子比为０：１００、５：１００、１０ ：１００、１５：１００、２０：１００的胶液制备的样品．由图 可以看出，随着Ｉ ｉ掺杂量的增加，（００２）晶面呈现择 优生长趋势．（００２）峰的半高宽由未掺杂时的０． ２２７。减小到Ｉ ｉ与Ｚｎ原子比为１５：１００时的０． １９３。，较小的半高宽意味着较大的晶粒尺寸和薄膜 较高的结晶质量，这说明一定量的 掺杂能促进晶 粒的发育和生长．而对于Ｂ５样品，当Ｉ ｉ与Ｚｎ原子 比为２０：１００时，则峰高反而下降，半高宽也增加到 了０．２３９。，这是由于过量的掺杂会导致薄膜内部应 力增大和掺杂离子缺陷增多，结晶质量反而下降．此 外，Ｉ ｉ掺杂还引起了（００２）峰位的小角度的右移，这 是由于Ｉ ｉ原子半径略小于Ｚｎ原子半径［９］，掺杂时 部分Ｌｉ原子按预期取代了晶格中Ｚｎ原子的位置， 引起晶格常数减小，按布拉格反射定律，峰位向大角 度发生了偏移． ２ｏ／（。） 图２不同掺杂浓度薄膜的ＸＲＤ图谱 Ｆｉｇ，２ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｏｐｉｎｇ ｅｏｎｅｅｎｔｒａｔｉｏｎ 兰州理工大学学报 第４１卷 图３给出了Ｌｉ与Ｚｎ原子比为１５：１００时，不 同退火温度下的ＸＲＤ图谱．Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、 分别表 示退火温度５００、６００、７００、８００℃的试样．在５００～ ７００℃，随着退火温度的升高，ｘ射线衍射峰变得更 加尖锐，强度也更大．温度升高，使样品中原子动能 增加，有利于原子的迁移和扩散，晶粒得到生长，晶 粒粒径增加，同时也降低了薄膜的缺陷密度，从而提 高了薄膜的晶体质量．但当８００℃高温条件下热处 理时，衍射峰峰强急剧下降，半峰宽增大，晶粒尺寸 变小．这可能是过高的退火温度导致锌和氧的热扩 散或蒸发过渡等原因，诱生了新的缺陷和晶界，结晶 质量反而下降． ２０／（ ） 图３不同退火温度薄膜的ＸＲＤ图谱 Ｆｉｇ．３ ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎｓ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆ＇ｄｍｓ ａｎｎｅａｌｅｄ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ 利用荧光分光光度计对Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４和Ｂ５样 品进行测试．结果如图４所示，可以看出，所有样品 均呈现出紫外发射和可见光发射，其中紫外发射峰 位于３９３ ｎｍ附近，可见光发射区域分别为４１７ ｒｉｍ 附近的紫光发射、４６５ ｎｌＴｌ附近的蓝光发射、４９５ ｎｒｒｌ 附近的绿光发射．不同的发光谱带，是来源于不同的 发光中心．对于紫外发射，一般认为是源于自由激子 发射［如］．而ＺｎＯ可见光发射多归因于间隙缺陷和 氧空位，４１７ ｎｍ的紫色发光带可能是导带中的电子 和受主缺陷如氧间隙（Ｏｉ）之间复合发光所致．４６３ ｎｍ处的蓝色发光峰是氧空位（Ｖｏ）缺陷引起的，即 电子从氧空位缺陷形成的浅施主能级到价带的跃迁 的过程中，一部分能量以蓝光的形式释放出来．４９５ ｎｍ的绿光发光峰，属于深能级发射峰，一般认为该 峰的产生与氧空位（Ｖｏ）或者锌间隙（Ｚｎ；）有关．同 时，掺杂试样的可见光发射强度均低于未掺杂试样 的可见光发射强度，这是由于掺杂产生了非辐射复 合缺陷或者其他结构缺陷，使得本征深能级缺陷（如 氧空位）浓度下降，导致最终发射强度有所降低．另 外由图４可见，未掺杂的样品Ｂ１的紫光发射强度 高于紫外发射强度，而掺杂后的所有样品的紫外发 射强度都高于紫光发射强度，说明掺杂导致了能带 结构的调整，使未掺杂前以复合发光为主转化为掺 杂后以自由激子发射为主． ３７５ ４００ ４２５ ４５０ ４７５ ５００ ５２５ ５５０ ５７５ ６００ ｍｎ 图４不同掺杂浓度薄膜的室温ＰＬ光谱 Ｆｉｇ．４ Ｒｏｏｍ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｈｎｓ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ 图５为Ｉ ｉ与Ｚｎ原子比为１５：１００的样品在不 同退火温度下薄膜的室温光致发光图谱，从图５可 以看出，所有的ＺｎＯ薄膜都有２个发光带，即紫外 发光带和可见发光带．退火温度的增加，对薄膜的主 发光带位置没有太大影响，但导致发射峰的强度增 加．这是因为随着退火温度升高，氧更容易从氧化锌 薄膜中脱附，造成氧空位和锌间隙的增加，所以相应 的缺陷发光强度增加．另外，考查了Ｃ２、Ｃ３和ＣＡ样 品在室温下，光致发光的近带边发射和深能级发射 强度比值（即光致发光强度比值）．通常，较高的强度 比意味着更好的结晶质量，在实验数据中，Ｃ３的强 度比明显高于Ｃ２和 样品，说明７００℃温度下退 火的晶体质量明显优于６００、８００℃温度下退火的晶 体质量，这与前面不同退火温度的ＸＲＤ数据分析 相吻合．在８００℃条件下，因位错、晶界等缺陷的增 多，结晶质量降低，晶粒尺寸减小，产生量子尺寸效 应，禁带宽度变大，发射峰的位置发生了微量的蓝 移． ３７５ ４００ ４２５ ４５０ ４７５ ５００ ５２５ ５５０ ５７５ ６００ ｎｍ 图５不同退火温度薄膜的室温ＰＬ光谱 Ｆｉｇ．５ Ｒｏｏｍ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ＰＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ａｎ— ｎｅａｌｅｄ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ 图６为不同掺杂浓度下薄膜试样的紫外一可见 第３期 张建斌等：溶胶一凝胶法制备Ｌｉ－Ｎ共掺ＺｎＯ纳米薄膜及其性能表征 ・３５・ 光漫反射光谱．结果表明，ＺｎＯ薄膜对一定波长范 围光波具有选择性吸收，且基础吸收处在紫外光区． 对该图谱求一阶导数，得到如图７所示的一阶微分 漫反射光谱，其峰值对应的波长为试样的光学吸收 限 一．根据公式 ～一Ｅｇ，求得Ｉ ｉ与ｚｎ原子比 为０：１００、５：１００、１０：ｌＯ０、１５：１００、２０：１００样品 相应光学带隙分别为３．２２５、３．２２５、３．２２１、３．１９６、 ３．２３３ ｅＶ．可见，一定范围内掺杂浓度的增加，可使 薄膜的光学带宽变窄．掺杂引入了ｕ替位缺陷，在 禁带中形成浅受主缺陷能级，电子吸收光子从价带 到受主跃迁的几率随着掺杂量增加而增大．因此光 学吸收限向长波长方向移动，即引起光学带隙变窄． 当掺杂Ｉ ｉ与Ｚｎ的原子比为２０：１００时，薄膜结晶 质量变差，晶粒尺寸减小，产生量子尺寸效应，薄膜 的光学带隙变大．、 ＼ 瓣 杂 ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ ８００ ９００ Ｚ／ｎｍ 图６不同掺杂浓度薄膜的紫外一可见漫反射光谱 Ｆｉｇ．６ ＵＶ－ｖｉｓｉｂｌｅ ｄｉｆｆｕｓｅ ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔＩｌｉｎ ｆｉｌｍ ｗｉｔｈ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ 署 ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ７００ ８００ ９００ Ｘ／ｎｍ 图７不同掺杂薄膜的一阶微分漫反射光谱 Ｆｉｇ ７ Ｆｉｒｓｔ ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ ｏｆ ｔｈｅ ｄｉｆｆｕｓｅ ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｗｉｈｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｄｏｐｉｎｇ ｃｏｎｃｅｎｔａｒｔｉｏｎ ４ 结论 采用溶胶一凝胶法制备了Ｌｉ—Ｎ共掺杂ＺｎＯ薄 膜，讨论了不同制备工艺参数以及热处理温度对 ＺｎＯ薄膜微观结构及其缺陷的影响．引入过渡层， 减小晶格失配，更有利于薄膜结晶，提高了薄膜的均 匀性和致密度．在一定范围内，随退火温度的升高以 及Ｌｉ掺杂浓度的提高，ｒＺｎＯ薄膜的ＦＷＨＭ变小， 结晶质量明显改善．适度的掺杂可降低薄膜的本征 缺陷浓度，∞如∞致使本征缺陷发光强度下降，如加 ０ 但在过高的 掺杂浓度或过高的热处理温度下，由于新的缺陷的 诱发，导致结晶质量的下降． 致谢：本文得到吉林大学集成光电子学国家重 点联合实验室开放课题（ＩＯＳＫＬ２０１４ＫＦ０１）、甘肃省 博士后科研项目择优资助基金以及兰州理工大学科 研启动基金资助，在此表示感谢． 参考文献 ［１１ ＨＵＡＮＧ Ｙｅｎｃｈｉｎ，ＬＩ Ｚｈｅｎｙｕ，ＷＥＮＧ Ｌｉｗｅｉ，ｅｔ ａ１．Ｃｈａｒａｃｔｅｒ－ ｉｚａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｇａ－ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ ｏｎ Ｓｉ（１１１）ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ａｔｍｏｓ— ｐｈｅｒｉｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｏｐｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａ，２００９，２７（６）： １２６０—１２６５． ［２３丁雨田，张杨，王璩，等．直流反应磁控溅射预制ＺｎＯ晶种 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ｃｏｄｏｐｅｄ ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ［Ｊ１．Ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ ａｎｄ Ｍｉｃｏｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ， ２０１１，４９（５）：５４９—５５４． ［８］ＹＡＮＧ Ｊｉｎｇｊｉｎｇ，ＦＡＮＧ Ｑｉｎｇｑｉｇｎ，ＷＡＮＧ Ｗｅｉｎａ，ｅｔ ａ１．Ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｌｉ－Ｎ ｄｕａｌ ａｃｃｅｐｔｏｒ ｉｎ ｐ－ＺｎＯ：（Ｌｉ，Ｎ）ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ａｎｄ ｔｈｅ ｐ－ＺｎＯ：（Ｌｉ，Ｎ）／ｎ－ＺｎＯ ｈｏｍｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｓｉ（１００） ［Ｊ１．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，２０１４，１１５（１２）：１２４５０９（１—５）． －［９３张利静，方华靖，严清峰，等．种子层诱导溶胶一凝胶法Ｌｉ，Ｍｇ 掺杂ＺｎＯ薄膜的结构及光电性能的研究口］．人工晶体学报， ２０１３，４２（７）：１２７２－１２７７． ［１０１唐斌，张强，罗强，等．纳米ＺｎＯ光学性质研究进展 ［Ｊ］．微纳电子技术，２０１２，４９（２）：８３—８９，１３９．