专利名称：成膜掩膜及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：工藤修二,斋藤雄二,水村通伸申请号：CN201480055662.7申请日：20141007公开号：CN105612271A公开日：20160525
摘要：本发明涉及成膜掩膜及其制造方法。上述成膜掩膜通过具备掩膜板(1)和磁性金属构件的金属掩膜(2)而构成，其中，掩膜板(1)具备：树脂制的薄片(5)，其与被成膜在基板上的薄膜图案对应地形成多个开口图案(4)；以及磁性金属薄膜(7)，其在上述薄片(5)的一面(5a)被设置在形成了上述多个开口图案(4)的有效区域内，并在其上设置了内含上述多个开口图案(4)中的至少一个开口图案(4)的大小的贯通孔(6)，磁性金属构件的金属掩膜2在上述掩膜板(1)的上述磁性金属薄膜(7)侧与上述掩膜板1分离而独立地被设置，在其上形成了内含上述磁性金属薄膜(7)的大小的开口部(9)。
申请人：株式会社V技术
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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