光MOS固体继电器

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201310322828.4 （22）申请日 2013.07.29 （71）申请人 电子科技大学

地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

（10）申请公布号 CN103401548A

（43）申请公布日 2013.11.20

（72）发明人 张有润;张飞翔;刘影;吴浩然;张波

（74）专利代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)

代理人 李顺德

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

光MOS固体继电器

（57）摘要

本发明公开了一种集成度较高、可靠性较

好的光MOS固体继电器。该光MOS固体继电器包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件，所述光电池阵列由若干个单晶硅光伏电池以及若干个多晶硅光伏电池串联而成，所述单晶硅光伏电池与多晶硅光伏电池交错排列，所述每个单晶硅光伏电池单独处于衬底的一个V型槽内，所述每个多晶硅光伏电池处于相邻的两个V型槽之间的衬底上。该光MOS固

体继电器通过对光电池阵列进行重新设计，在V型槽之间的间隔制作多晶硅光伏电池，充分利用了版图空间，提高了集成度，而且集成功率器件的光MOS固体继电器减小了封装的难度和寄生效应，有效地提高了继电器的可靠性，适合在电力电子技术领域推广应用。

法律状态

法律状态公告日

2013-11-20 2013-12-18 2016-07-20 2016-08-24

法律状态信息

公开

实质审查的生效 著录事项变更 授权

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实质审查的生效 著录事项变更 授权

权利要求说明书

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说明书

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