专利名称：砷化镓多晶材料的合成工艺专利类型：发明专利发明人：张晶
申请号：CN201410626143.3申请日：20141110公开号：CN105648534A公开日：20160608
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶材料的合成工艺，采用该工艺方法在合成砷化镓多晶材料时无需氧化硼封盖层，可以实现批量合成满足化合物半导体单晶材料生长工业化要求的半导体多晶材料。
申请人：青岛首泰农业科技有限公司
地址：266000 山东省青岛市胶州市高州路北段
国籍：CN
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