电路元件伏安特性的测绘 实验报告

广东第二师范学院学生实验报告

院（系）名称 专业名称 实验课程名称 实验项目名称 实验时间 实验成绩 班别 姓名 学号 电路与电子线路实验 电路元件伏安特性的测绘 实验地点 指导老师签名 一、实验目的: (1) 学会识别常用电路元件的方法; (2) 掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的逐点测试法； (3) 掌握实验台上直流电工仪表和设备的使用方法. 二、实验仪器： (1) 电路实验箱一台 (2) 万用表一块,2AP9二极管一个，2CW51稳压管一个,不同阻值线性电阻器若干。 三、实验内容及步骤： 图3-3 线性电阻伏安特性测试 图3-4 二极管伏安特性测试 1．测定线性电阻器的伏安特性 按图3-3接线，调节稳压电源的输出电压U,从0V开始缓慢地增加,一直到10V，在表3—1记下相应的电压表和电流表的读数UR和I。 表3-1 测定线性电阻的伏安特性 UR/V I/mA 0 0 1 1。14 2 2.18 3 3。22 4 4.27 5 5.22 6 7 8 8.13 9 9.14 10 10。16 6。10 7。12 2．测定半导体二极管的伏安特性 按图3—4接线,R为限流电阻器。测二极管的正向特性时,其正向电流不得超过25mA，二极管D的正向压降UD+可在0~0.75V之间取值。在0.5～0.75V之间应多取几个测量点.做反向特性实验的时候，只需将图1—3中的二极管D反接，且其反向电压可加到30V左右。 表3-2 测定二极管的正向特性 UD+/V 0 0。2 0.4 0。45 0.5 0.55 0.60 0。65 0.70 0。75 1

I/mA 0 0 0.01 0.07 0.26 0.73 2。05 6.03 17。85 56.0 表3-3 测定二极管的反向特性 UD-/V I/mA 0 0 -5 0 -10 0 -15 —0.001 -20 -0。001 -25 -30 -0.002 -0.002 3．测定稳压二极管的伏安特性 (1) 正向特性实验 将图3-4中的二极管1N4007换成稳压二极管2CW51，重复实验内容2中的正向测量。UD+为正向施压，数据记入表3-4。 表3—4 测定稳压管的正向特性 UZ-/V I/mA 0 0 0.2 0 0.3 0 0.4 0 0.45 0 0。5 0。002 0.55 0.007 0。6 0。65 0。7 0.776 0.75 4。5 0.030 0.153 (2) 反向特性实验 将稳压二极管2CW51反接，重复实验内容2中的反向测量.UD+为反向施压，数据记入表3-5。 表3-5 测定稳压管的反向特性 U/V UZ-/V I/mA 0 0 0 1 -1.02 —0。003 2 -1。9 —0.253 3 —2。53 -1.61 4 —2.97 —4.95 5 —3.2 8 —3。61 10 —3。75 12 18 20 -3.84 -4。01 -4.05 —42 —72.5 —82。4 -8.66 -22。3 -31。9 四、实验结果： 电阻器的伏安特性曲线 半导体二极管的正向伏安特性曲线 2

半导体二极管的反向伏安特性曲线 稳压二极管的正向伏安特性曲线 稳压二极管的反向伏安特性曲线 五、实验心得: 通过此次实验，我初步掌握了电路实验箱的基础功能，并学习到如何用电路实验箱及万用表测定

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各个元器件的伏安特性. 六、思考题： (1) 用怎样的方法，能更精确地绘制各个元器件的伏安特性曲线？ 在数据变化不明显的区间内再增加几个梯度的数据变化点，加以测量，使得曲线更加精确。 (2) 怎样判断半导体二极管和稳压管的好坏? ① 半导体二极管:用万用表调至R×1K档,将两表笔分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表笔对换再测量一次，记下第二次阻值。若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好；反之则性能欠佳或损坏. ② 稳压二极管：用万用表调至R×1K档，将两表笔分别接在稳压二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表笔对换再测量一次,记下第二次阻值，根据阻值判断二极管的正负。测量其反向电阻，示数稳定后将R×1K档调至R×10K档，若反向电阻值减小很多，说明该稳压二极管性能良好;若反向电阻值基本不变或减小很少则性能欠佳或损坏。

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