专利名称：半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法专利类型：发明专利发明人：林家兴,陈麒麟申请号：CN200610064873.4申请日：20060316公开号：CN1933104A公开日：20070321
摘要：一种制造半导体元件的方法，其包括：提供基板；在该基板上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成保热层；图案化该保热层；以及照射该已图案化的保热层。
申请人：财团法人工业技术研究院
地址：台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
国籍：CN
代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司
代理人：薛平
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