专利名称：半导体衬底及其生产工艺专利类型：发明专利发明人：坂口清文申请号：CN01101254.4申请日：20010105公开号：CN1314701A公开日：20010926
摘要：本发明提供一种包括半导体层3的半导体衬底,半导体层3形成在支撑衬底1上,半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层3,其中在半导体层表面区域以外的区域内形成标记;以及还提供半导体衬底的生产工艺。
申请人：佳能株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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