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电子科技大学网络教育射频模拟电路综合测试题五
一、单项选择题(20分)
1. LC串联谐振回路谐振时,回路阻抗为:( )
A、 容性 B、 纯阻性 C、 感性 D、不定 2. 串联谐振回路谐振时,回路电流:( )
A、最大 B、最小 C、零 D、 其它 3. 并联谐振回路如图1所示,空载品质因数为Q0,谐振时电感支路电流与电流源之间的关系近似为:( )
ISA、Q0IS B、IS C、Q0 D、 其它 IS
4. 并联谐振又称为( )谐振。
LCr
A、电压 B、电流 C、阻抗 D、 导纳 图1 5. 串并联谐振回路归一化抑制比α的表达式为:( )
11122+ξ11+jξ A、 B、 C、1+jξ D、
11+ξ2
6. 串并联阻抗等效互换电路中,串联支路的品质因数为QL1,并联支路的品质
因数为QL2,则QL1与QL2的关系为:( )
A、QL1>QL2 B、QL1 A、供电 B、阻抗变换 C、便于连接 D、隔直流 'IS8. 回路抽头如图2所示,接入系数为P,则与IS的关系为:( ) aa PLRPCIS,RPLCIS bb 图2 '2'''=IPII=PII=PIII=SSS C、S B、S D、S A、SS 9. 晶体管共射组态的工作频率远大于,此时,电流放大倍数|β|为: ( ) fβf工作fTfTfff A、 工作 B、工作 C、β D、 β0 10. 晶体管高频小信号单调谐回路放大器,如电路选定,晶体管选定,则增益带宽积(AV0•2∆f0.707)为:( ) A、常数 B、不定值 C、 AV0 大;AV0•2∆f0.707也较大; D、 AV0 大;AV0•2∆f0.707较小 11. 高频谐振功率放大器,由过压状态到临界状态,需调整的参数是:( ) A、RP增大 B、RP减小 C、VCC减小; D、Vb增大 12. 高频谐振功率放大器用于集电极调幅,谐振功放的工作状态是:( ) f工作fβ•A、 过压状态 B、欠压状态 C、临界状态; D、 略欠压状态 13. 高频谐振功率放大器用作二倍频器,则导通角θc应为:( ) A、60 B、40 C、30; D、20 14. LC反馈正弦波振荡器振荡平衡的振幅稳定条件是:( ) A、 ∂A∂Vi<0平衡点 B、 ∂A∂Vi>0平衡点 C、 ∂A∂Vi=0平衡点; D、 其它 15. 混频器信号电平的特点是:(vL—本振电压,vs—信号电压)( ) A、 vL很大,vs很小; B、vL,vs都很大;C、vs很大, vL很小; D、 vL,vs都很小; 16. 混频器中的干扰哨声是: ( ) A、副波道干扰; B、组合频率干扰; C、交叉调制; D、互相调制; 36 17. 调幅波v(t)=(1+0.3cos2π×10t)cos2π×10t(V)的载波频率是: ( ) 6633A、10Hz; B、2π×10Hz;C、2π×10Hz; D、 10Hz; 18. 调幅波从频谱变换的角度看是频谱的: ( ) A、非线性变换; B、线性变换; C、 不变换; D、频谱搬移; 63=19. 求v(t)5cos(10t+sin5×10t)在t=0时的瞬时频率:( ) 6363A、ω(0)=10rad/s; B、ω(0)=5×10rad/s;C、ω(0)=(10+5×10)rad/s;D、 ω(0)=(106-5×103)rad/s; 20. 调相波的最大频偏∆fm=75KHz,调制信号频率F=5KHz,则调频指数mp为:( ) A、5; B、 10;C、15; D、 20; 二、 多项选择题(在每小题的被选答案中,选出2—5个正确答案, 多选、少选、选错,均无分。每小题2分,共10分) ( ) 1. 并联谐振回路,谐振频率不变,增大3dB通频带的方法有: A、降低有载品质因数;B、提高有载品质因数;C、外加并联电阻;D、 增大;E、 C增大; LC2. 高频小信号的不稳定是由于yre的存在,要消除该影响,采用的单向化的方法有:( ) A、中和法;B、内匹配;C、失配法;D、部分接入; 3. 高频功率放大器如输入为单频余弦波,即vb=Vbcosω0t,输出的集电极电压波形(交流分量)是:( ) A、连续的; B. 非连续的; C、−Vcmcosω0t; D、Vcmcosω0t; E、 Vcmsinω0t; 4. 高频功率放大器工作状态由临界至过压,可调整的参数及变化趋势是:( ) A、RP增大;B、 RP减小;C、VCC增大;D、VCC减小;E、VBB增大;F、 VBB减小;G、Vb增大;H、Vb减小; 5. 串联型石英晶体振荡器:( ) A、石英晶体串接在输出支路;B、石英晶体串接在反馈支路;C、工作在串联谐振频率fq点;D、 工作在并联谐振频率fp点;E、 其它工作频率; 三、电路改错、分析题(15分) 1. 图3所示电路为谐振功率放大器电路,图中有错误,请直接在图中改正错误。 (10分) C’C3C1L1C2R1C’C’L2RFC+VCCC4RFCR2C5L3C6L4L5图3 2. 试简述为什么晶体管振荡器大都采用固定偏置与自偏置的混合偏置电路? (5分) 四、计算题(55分) 1. 如图4所示为中频放大器单级电路。已知工作频率f0=30MHz,回路电感L13=1.4μH,Q0=100,N1−3=15圈,N2−3=10圈,N4−5=5圈,C1~C6为耦合电容或旁路电容。晶体管采用3DG47为gie=1.2ms,Cie=12pF,goe=400μs, Coe=9.5pF,yfe=58.3ms,ϕre=−2.2,yoe=310μs,ϕfe=−88.8。(1)求 回路总电导gΣ;(2)回路电容C为多大时,才能使回路谐振;(3)放大器电压增益AV0。(15分) R4R1CC132145R5R2R3C3C2C4RFCC5R6RFCC6-VCC图4 2. 设计一个用3DAl硅高频三极管做成的谐振功率放大器,上作频率f0=2MHz,VCC=24V,输出功率Po=2W,查得3DAl的参数如下:fT=70MHz,AP≥13dB,ICM=750mA,PCM>1W,β>10,VCES≥1.5V。ICM为晶体管允许的最大集电极电流,PCM为允许的最大集电极耗散功率,VCES为饱和压降。其 θ=70g(70)=1.73。α(70)=0.253α(70)=0.436C011,,,请计算RP、中导通角 IC1、IC0、Pdc、PC、ηc。(15分) 3. 如图5所示为电容三端式振荡电路C1=100pF,C2=200pF,L=50μH。试画出其交流等效电路,求它的振荡频率f0及维持振荡所必须的最小放大倍数 Amin。(12分) 图5 (10+6cos6π×103t)cos2π×106t(v),试求:(1)调幅波4. 已知一调幅波v(t)=内包含的频率;(2)各频率的振幅值;(3)该调幅波在10Ω电阻上产生的平均功率。(8分) 5. 调频信号的瞬时频率以每秒500次的速率在100.001 MHz和99.999 MHz之间变化,试求:(1)调制信号频率F;(2)载波频率fc;(3)调制信号的最大 频移∆fm;( 4)调制指数mf。(5分) 因篇幅问题不能全部显示,请点此查看更多更全内容