专利名称：多晶硅片的制备系统专利类型：发明专利发明人：孟静
申请号：CN201811050502.X申请日：20180910公开号：CN109056061A公开日：20181221
摘要：本发明公开了一种多晶硅片的制备系统，涉及多晶硅片制备技术领域。所述系统在提纯和制备多晶硅锭的过程中，首先通过熔盐电解法制备硅‑铜合金，同时利用定向梯度凝固技术制备硅晶体，在制备过程中，随着电解的进行，粗二氧化硅不断的溶解，且多晶硅不断的长大，在制备整块硅多晶后，利用区域熔炼技术再次提纯多晶硅，排出铜及其他共沉积杂质元素，实现利用粗二氧化硅制备高纯多晶硅，通过该系统制备的多晶硅锭的纯度可达99.9999%，从而使得通过生长的多晶硅锭制备的多晶硅片的纯度较高，提高了通过制备的多晶硅片制备的太阳能电池的光电转换效率。
申请人：孟静
地址：050000 河北省石家庄市裕华区槐北路416号40栋3单元602号
国籍：CN
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