专利名称：多晶硅制备装置专利类型：实用新型专利发明人：叶昱均,许民庆申请号：CN201320300140.1申请日：20130528公开号：CN203320123U公开日：20131204
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅制备装置。多晶硅制备装置包括缓冲腔，还包括装卸平台、清洗腔、至少一沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔；上述的装卸平台、清洗腔、沉积腔、去氢化腔、冷却腔和激光回火腔分别置于缓冲腔的周围，且均与该缓冲腔连接；所述缓冲腔内设置有一机械手臂，该机械手臂包括一定位杆、U型插片和至少一连杆；所述定位杆的一端可旋转的设置于所述缓冲腔内，所述U型插片通过所述至少一连杆与所述定位杆的另一端可旋转的连接。本实用新型通过将原本外置的沉积腔与多晶硅制备装置集成在一起，能够节省工艺步骤和占地空间。
申请人：上海和辉光电有限公司
地址：201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
国籍：CN
代理机构：上海申新律师事务所
代理人：竺路玲
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