专利名称：用于集成电路产品的密集封装的标准单元及其制法专利类型：发明专利
发明人：M·拉希德,J·金,邓云飞,S·文卡特桑申请号：CN201410203130.5申请日：20140514公开号：CN104157604A公开日：20141119
摘要：本发明涉及用于集成电路产品的密集封装的标准单元及其制法，揭露一种方法，包括：在由隔离区隔开的相邻有源区中及上方形成第一及第二晶体管装置，其中，所述晶体管包括源/漏区以及共享栅极结构，形成跨越该隔离区并接触所述晶体管的所述源/漏区的连续导电线，以及蚀刻该连续导电线以形成分离的第一及第二单元导电源/漏接触结构，该第一及第二单元导电源/漏接触结构分别接触该第一及第二晶体管的所述源/漏区。本发明揭露一种装置，包括：栅极结构，多个源/漏区，第一及第二单元导电源/漏接触结构，各该第一及第二单元导电源/漏接触结构分别接触所述源/漏区的其中一个，以及第一及第二通孔，分别接触该第一及第二单元导电源/漏接触结构。
申请人：格罗方德半导体公司
地址：英属开曼群岛大开曼岛
国籍：KY
代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司
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