专利名称：一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺专利类型：发明专利
发明人：李会杰,王静辉,田志怀,李晓波,白欣娇,李婷婷,张江
鹏
申请号：CN201910907931.2申请日：20190925公开号：CN110581061B公开日：20220301
摘要：一种氮化镓MMIC功率放大器芯片的加工工艺，属于集成电路芯片制造的技术领域，包括对基片逐步进行光刻桥墩、清洗、溅射钛金金属层、光刻桥面、电镀、去胶、腐蚀钛金金属层、二次去胶，关键在于，所述的腐蚀钛金金属层工序包括将基片置于腐蚀液A和腐蚀液B中进行腐蚀，腐蚀液A或腐蚀液B腐蚀时，基片振动频率15‑30次/分钟，腐蚀时间55‑60s，控制环境温度为22±2℃、湿度为55±5％RH；所述金属腐蚀液A按照碘：碘化钾：异丙醇：纯水＝1:1:3:2的质量比配制；所述的腐蚀液B按照氢氟酸、双氧水、水＝1:1:10的质量比配制，本发明能够对金属进行充分腐蚀，腐蚀的效果良好，能够完美达到工艺的要求。
申请人：同辉电子科技股份有限公司
地址：050200 河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
国籍：CN
代理机构：河北知亦可为专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：张建茹
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