专利名称：光强度调节的场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：刘云圻,肖恺,孙艳明,胡平安,翟锦,于贵,胡文平,江雷,
朱道本
申请号：CN200410101837.1申请日：20041227公开号：CN1797790A公开日：20060705
摘要：本发明涉及一种具有光强度调节的氮化碳/碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。与传统的场效应晶体管不同，电流的形成不是靠电场或磁场，而是靠光场，且电流的大小可由光的强度来调控。所述的场效应晶体管是以高掺杂硅为基材，在热氧化的二氧化硅表面用光刻技术制备Ti/Au阵列电极对，将含氮化碳/碳纳米管的四氯化碳和二氯苯溶液滴在带电极对的二氧化硅表面，在氮化碳/碳纳米管的两端原位沉积Pt电极引线与Ti/Au电极相连。单根氮化碳/碳纳米管为场效应晶体管的半导体材料。Ti/Au电极对分别作为场效应晶体管的源、漏电极，高掺杂硅基材反面的金电极为场效应晶体管的栅电极。该场效应晶体管的源漏电流可由光的强度来调控。
申请人：中国科学院化学研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村北一街2号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：李柏
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