专利名称：一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法专利类型：发明专利发明人：孙波远
申请号：CN201810953786.7申请日：20180821公开号：CN109192814A公开日：20190111
摘要：本发明公开了一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法，包括以下步骤，步骤1，将N型硅片进行制绒与清洗，其中氢氧化钾1‑3％，添加剂0.5‑2％，温度65‑95℃，时间500‑600秒，之后用0.5‑1.5％氢氟酸溶液进行清洗，时间为150‑200秒；步骤2，使用三氯氧磷对制绒后的N型硅片进行扩散，温度在820‑890℃，时间为1700‑2000秒；1‑3％的氢氟酸溶液，去除背面的磷硅玻璃。该基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法无需扩硼处理，大幅降低生产成本。
申请人：百力达太阳能股份有限公司
地址：314516 浙江省嘉兴市桐乡市河山镇工业区
国籍：CN
代理机构：北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：汤东凤
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