专利名称：FinFET及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朱慧珑,许淼,梁擎擎,尹海洲申请号：CN201510612319.4申请日：20121130公开号：CN105304715A公开日：20160203
摘要：公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容