专利名称：FINFET及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：林宏达,傅竹韵,黄信烨,杨淑婷,陈宏铭申请号：CN201110307170.0申请日：20111011公开号：CN102446974A公开日：20120509
摘要：本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第一和第二绝缘区域的锥形顶面的顶面，其中鳍片包括非凹陷部分，其具有高于所述锥形顶面的顶面；和在所述鳍片的非凹陷部分上的栅极堆叠。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律师事务所
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