专利名称：FinFET及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朱慧珑,许淼,梁擎擎,尹海洲申请号：CN201510574924.7申请日：20121130公开号：CN105097555A公开日：20151125
摘要：公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底的内部形成掺杂穿通阻止层；利用半导体衬底位于掺杂穿通阻止层上方的部分形成半导体鳍片；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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