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一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法[发明专利]

2021-07-31 来源:客趣旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长

方法

专利类型:发明专利

发明人:张庆礼,林东晖,刘文鹏,孙贵花,罗建乔,彭方,殷绍唐,

窦仁勤

申请号:CN201610069217.7申请日:20160128公开号:CN105696074A公开日:20160622

摘要:本发明公开一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料,由以下化学式组成:

CrTmHoBiNbO,0<x≤0.2,0.0001≤y≤0.1,0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法,包括:将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀,进行合成反应得到化学式为CrTmHoBiNbO的多晶原料;将化学式为

CrTmHoBiNbO的多晶原料进行压制得到生长晶体原料;将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体,然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。

申请人:中科九曜科技有限公司

地址:231202 安徽省合肥市经开区桃花工业园锦绣大道316号

国籍:CN

代理机构:合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)

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