集成电路命名方法

集成电路命名方法 ( 介绍了中国部标规定的集成电路命名方法 ) 原部标规定的命名方法 X 电路类型 T：TTL； H：HTTL； E：ECL； I：I-L； P：PMOS； N：NMOS； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法 C 中国制造 X 器件类型 T：TTL； H：HTTL； E：ECL； C：CMOS； F：线性放大器； D：音响、电视电路； W：稳压器； J：接口电路； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路； XX 器件系列和 品种代号 （器件序号） X 工作温度范围 C：（0-70）℃； E ：（-40~85）℃； R：（-55~85）℃； M：（-55~125）℃； X 器件封装符号 W：陶瓷扁平； B：塑料扁平； F：全密封扁平； D：陶瓷双列直插； P：塑料双列直插； J：黑瓷双理直插； K：金属菱形； T：金属圆壳； XXX 电路系列和 品种序号码 （三位数字） X 电路规格符号 （拼音字母） X 电路封装 A：陶瓷扁平； B ：塑料扁平； C：陶瓷双列直插； D：塑料双列直插； Y：金属圆壳； F：金属菱形； 其中，TTL中标准系列为CT1000系列； H 系列为CT2000系列； S系列为CT3000系列； LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法 C 中国国标产品 X 器件类型 T：TTL电路； H：HTTL电路； E：ECL电路； C：CMOS电路； XX 用阿拉伯数字和 字母表示器件系 列品种 其中TTL分为： 54/74XXX； X 工作温度范围 C：（0~70）℃ G：（-25~70）℃ L：（-25~85）℃ E：（-40~85）℃ X 封装 F：多层陶瓷扁平； B：塑料扁平； H：黑瓷扁平； D：多层陶瓷双列直插； M：存储器； U：微型机电路； F：线性放大器； W：稳压器； D：音响、电视电路； B：非线性电路； J：接口电路； AD：A/D转换器； DA：D/A转换器； SC：通信专用电路； SS：敏感电路； SW：钟表电路； SJ：机电仪电路； SF：复印机电路； 54/74HXXX； 54/74LXXX； 54/74SXXX； 54/74LSXXX； 54/74ASXXX； 54/74ALSXXX； 54/FXXX。 CMOS分为： 4000系列； 54/74HCXXX； 54/74HCTXXX； R：（-55~85）℃ M：（-55~125）℃ J：黑瓷双列直插； P：塑料双列直插； S：塑料单列直插； T：金属圆壳； K：金属菱形； C：陶瓷芯片载体； E：塑料芯片载体； G：网格针栅阵列； 本手册中采用了： SOIC：小引线封装（泛指）； PCC：塑料芯片载体封装； LCC：陶瓷芯片载体封装； W：陶瓷扁平。 世界最大电子公司( 分4页显示世界上最大的250大电子公司排行榜 ) 排名 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 IBM Matsushita Electric Industrial Fujitsu Hewlett-Packard NEC Compaq Computer Toshiba Sony Motorola Siemens Intel Lucent Technologies Hitachi Dell Computer Ingram Micro Nortel Networks Alcatel Ericsson Nokia Philips Electronics Samsung Electronics Canon Cisco Systems Microsoft Tech Data Electronic Data Systems Sun Microsystems Sharp1 Solectron* 公司名称 电子类产品收入(M美元) 88,396.00 71,658.00 49,807.90 49,057.00 48,460.70 42,383.00 40,324.50 40,114.60 37,580.00 35,148.10 33,726.00 33,490.00 31,962.00 31,888.00 30,715.10 30,275.00 29,580.00 29,026.00 28,617.20 27,822.40 27,145.90 24,272.00 23,931.00 23,845.00 20,427.70 19,226.80 19,181.70 17,579.50 17,057.40 净收入(M美元) 8,093.00 1,008.00 405 3,231.00 101.1 569 -265.4 -435 1,318.00 6,945.80 10,535.00 -426 165 2,310.00 226.2 -3,470.00 1,247.00 2,230.00 3,710.20 8,532.00 4,762.30 1,170.00 3,095.00 9,624.00 177.9 1,143.30 2,161.10 266.6 577.8 利润率 9.16% 1.41% 0.81% 6.59% 0.21% 1.34% -0.66% -1.08% 3.51% 19.76% 31.24% -1.27% 0.52% 7.24% 0.74% -11.46% 4.22% 7.68% 12.96% 30.67% 17.54% 4.82% 12.93% 40.36% 0.87% 5.95% 11.27% 1.52% 3.39% 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 Xerox Mitsubishi Electric Ricoh Tyco International Arrow Electronics Texas Instruments Avnet LG Electronics Honeywell Agilent Technologies Seiko Epson Raytheon NTT Oracle Applied Materials Flextronics International Sanyo Electric Computer Sciences Celestica Gateway SCI Systems Marconi EMC Thomson Multimedia Victor Company of Japan (JVC) Thales Fuji Electric STMicroelectronics Micron Technology Avaya Kyocera 15,521.80 14,308.90 13,716.20 13,034.80 12,959.30 11,875.00 11,763.70 11,746.40 11,510.60 11,368.00 10,994.50 10,981.80 10,775.20 10,745.10 10,573.30 10,368.80 10,261.30 10,202.10 9,752.10 9,600.60 9,146.60 9,111.50 8,872.80 8,565.00 8,248.10 8,078.60 8,073.60 7,813.20 7,584.20 7,577.00 7,312.50 -257 235.4 397.4 4,742.80 357.9 3,058.00 255.7 397.6 1,659.00 780 635 141 2,821.00 6,799.10 2,294.60 -192.9 204.6 413.5 206.7 241.5 213.2 830.9 1,782.10 371 -50.6 189.6 -70.4 1,452.10 1,515.10 -415 488.8 -1.66% 1.65% 2.90% 36.39% 2.76% 25.75% 2.17% 3.38% 14.41% 6.86% 5.78% 1.28% 26.18% 63.28% 21.70% -1.86% 1.99% 4.05% 2.12% 2.52% 2.33% 9.12% 20.08% 4.33% -0.61% 2.35% -0.87% 18.59% 19.98% -5.48% 6.68% 排名 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 Corning Hynix Semiconductor Unisys Apple Computer Rockwell International Infineon Technologies Oki Electric Industry Co. NCR SAP 中国普天信息产业集团 Cap Gemini Ernst & Young Pioneer Corp. Nintendo Omron Alps Electric 台积电 TSMC 公司名称 电子类产品收入(M美元) 7,273.10 7,026.70 6,885.00 6,647.00 6,598.00 6,530.60 6,348.10 5,959.00 5,881.20 5,602.40 5,547.30 5,494.50 5,279.40 5,263.70 5,152.50 5,019.20 净收入(M美元) 422 -1,962.80 225 408 613 1,132.70 10.9 178 595.5 259 405.8 228.3 531.3 109.6 -194.2 1,966.20 利润率 5.80% -27.93% 3.27% 6.14% 9.29% 17.34% 0.17% 2.99% 10.13% 4.62% 7.32% 4.16% 10.06% 2.08% -3.77% 39.17% 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 Mitac TDK Computer Associates International 海尔集团公司 Acer Quantum Advanced Micro Devices Northrop Grumman Murata Matsushita Electric Works Sanmina Eastman Kodak Tokyo Electron SAGEM Olympus Jabil Circuit 3Com Daewoo Electronics Casio Computer Getronics Lexmark International Agfa Anixter International Minolta 台湾联电 UMC ADC Telecommunications Rohm Litton Industries Tellabs Samsung SDI Citizen Watch Sega1 TriGem Computer Furukawa Electric Aiwa Bull Teradyne Yamaha Yokogawa Electric Computacenter Analog Devices Pioneer-Standard Electronics Inventec Hon Hai Precision 4,982.50 4,949.20 4,928.00 4,912.72 4,760.60 4,748.90 4,644.20 4,494.60 4,331.30 4,247.70 4,218.20 4,198.20 4,177.20 4,087.40 4,062.70 3,997.50 3,902.30 3,895.00 3,889.20 3,886.00 3,807.00 3,716.60 3,514.40 3,501.10 3,491.40 3,437.40 3,397.00 3,389.70 3,387.40 3,305.60 3,270.20 3,213.60 3,175.80 3,142.60 3,107.30 3,054.60 3,043.90 3,002.00 2,970.00 2,968.20 2,859.60 2,843.80 2,834.50 2,780.30 73.5 522.7 211 1.65 204.9 179.6 1,029.10 608 581.4 286.4 248.5 1,407.00 188.1 143.3 17.6 166.9 157.8 -2,553.00 58.5 56.5 285.4 159.2 78.7 29.8 1,533.60 182.6 629.5 226.2 730.8 432 36.3 -406.4 -12.6 333.3 -108.6 -228.8 453.6 -386.5 55.2 58.6 704.6 45.7 115.9 312 1.48% 10.56% 4.28% 0.03% 4.30% 3.78% 22.16% 13.53% 13.42% 6.74% 5.89% 33.51% 4.50% 3.51% 0.43% 4.18% 4.04% -65.55% 1.50% 1.45% 7.50% 4.28% 2.24% 0.85% 43.93% 5.31% 18.53% 6.67% 21.57% 13.07% 1.11% -12.65% -0.40% 10.61% -3.49% -7.49% 14.90% -12.87% 1.86% 1.97% 24.64% 1.61% 4.09% 11.22% 排名 121 122 123 Oce 上海广电集团有限公司 QUALCOMM 公司名称 电子类产品收入(M美元) 2,778.10 2,772.00 2,760.60 净收入(M美元) 136.7 249.2 264.3 利润率 4.92% 8.99% 9.57% 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173

Samsung Electro-Mechanics LSI Logic CompuCom Systems Maxtor Atos Origin JDS Uniphase Japan Radio Kenwood Ryosan Tatung

Quanta Computer AVX

Vishay Intertechnology Molex

Amkor Technology National Semiconductor Mitsumi Electric Konica Pitney Bowes

First International Computer Sema Compal 联想电脑 Scientific-Atlanta TCL Group Asustek

Shin-Etsu Chemical Dover Seiko Merise Elcoteq Compuware ON Semiconductor Storage Technology Alpine

ASM Lithography 熊猫电子

Affiliated Computer Services Atmel

Silicon Graphics Conexant Systems KLA-Tencor Cookson Group

Dimension Data Holdings Limited Western Digital

China Greatwall Computer Group Ascom Harris

L-3 Communications Shimadzu

2,744.30 2,737.70 2,710.60 2,704.90 2,666.10 2,630.20 2,613.70 2,601.90 2,578.70 2,564.60 2,511.00 2,506.40 2,465.10 2,437.40 2,387.30 2,380.00 2,344.60 2,339.10 2,328.50 2,307.80 2,259.20 2,249.70 2,238.80 2,221.90 2,139.00 2,136.10 2,123.30 2,106.30 2,094.60 2,093.50 2,085.40 2,077.60 2,073.90 2,060.20 2,049.00 2,029.40 2,028.70 2,018.30 2,012.70 2,011.00 2,004.00 2,002.70 2,000.50 1,976.50 1,961.40 1,955.20 1,951.70 1,914.90 1,910.10 1,861.20

236.6 5.1 32.4 66.4 -2,571.70 -12.6 -9.6 57.3 107 259.4 513.5 517.9 255.1 154.2 732.6 48.2 72.3 622.5 7 -104.8 180.7 61.7 281.3 91.2 472.5 457.1 519.6 -13.1 -95.8 35 119.1 71.1 -1.8 -11.2 324.4 84.7 120.4 266 -745.8 -442.3 380.1 112.7 -151.5 -98.3 29 41.7 -16.7 82.7 23.5

8.64% 0.19% 1.20% 2.49% -97.78% -0.48% -0.37% 2.22% 4.17% 10.33% 20.49% 21.01% 10.47% 6.46% 30.78% 2.06% 3.09% 26.73% 0.30% -4.64% 8.03% 2.76% 12.66% 4.26% 22.12% 21.53% 24.67% -0.63% -4.58% 1.68% 5.73% 3.43% -0.09% -0.55% 15.99% 4.18% 5.97% 13.22% -37.09% -22.07% 18.98% 5.63% -7.67% -5.01% 1.48% 2.14% -0.87% 4.33% 1.26%

174 175 176 177 178 179 180 华为技术 Schneider Electric Ibiden Clarion Bell Microproducts Siebel Systems EPCOS 1,831.30 1,825.90 1,825.60 1,818.40 1,804.10 1,795.40 1,792.30 349.4 588.5 59.5 -167.9 17.2 123.1 252.2 19.08% 32.23% 3.26% -9.23% 0.95% 6.86% 14.07% 排名 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 公司名称 Fairchild Semiconductor International Manufacturers' Services Limited Diebold PeopleSoft Sanshin Electronics Thermo Electron Benchmark Electronics Harman International Industries Audiovox C-Mac Industries PerkinElmer Funai Electric Hosiden SunGard Data Systems Lam Research 海信集团 Yamatake Viasystems Group Advantest Taiyo Yuden 四川长虹 Xilinx BMC Software Palm Advanced Semiconductor Engineering Arima Nikon Danaher Daewoo Telecom 华邦 Winbond American Power Conversion Jenoptik Aktiengesellschaft Acer Communications & Multimedia Symbol Technologies ITT Industries Teac Synnex Technology Konkia Group Altera Minebea 电子类产品收入(M美元) 1,783.20 1,758.10 1,743.60 1,736.50 1,715.10 1,710.40 1,704.90 1,703.50 1,702.30 1,702.20 1,695.30 1,685.50 1,675.10 1,660.70 1,626.80 1,623.30 1,608.50 1,605.00 1,584.70 1,576.60 1,565.10 1,559.00 1,557.60 1,545.70 1,537.00 1,521.30 1,515.30 1,511.10 1,504.20 1,491.50 1,483.60 1,480.50 1,468.50 1,449.50 1,448.80 1,426.80 1,412.60 1,385.60 1,376.80 1,376.40 净收入(M美元) 273.1 -4 136.9 145.7 20.1 -36.2 19.9 77 27.2 88.5 90.5 115 60.8 213 283 34.4 32.4 -136 212 158.7 53.9 673.8 117.6 61 183 95.6 73.6 324.2 -748.6 306.3 165.7 81.6 130.6 -69 264.5 22.9 45.4 36 496.9 -25.4 利润率 15.32% -0.23% 7.85% 8.39% 1.17% -2.12% 1.17% 4.52% 1.60% 5.20% 5.34% 6.82% 3.63% 12.83% 17.40% 2.12% 2.01% -8.47% 13.38% 10.07% 3.44% 43.22% 7.55% 3.95% 11.91% 6.28% 4.86% 21.45% -49.77% 20.54% 11.17% 5.51% 8.89% -4.76% 18.26% 1.60% 3.21% 2.60% 36.09% -1.85% 221 222 223 224 225 226 227 228 229 230 231 232 233 234 235 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 ACT Manufacturing Creative Technology Grundig DST Systems Amphenol Ryoyo Electro KEMET APW ATI Technologies 上海贝尔 Iomega Sanken Electric Cypress Semiconductor Marubun Logica Premier Farnell Cadence Design Systems American Management Systems Imation Comverse Technology 北大方正 Electrocomponents CMG VERITAS Software Smiths Group Kent Electronics Tektronix Universal Scientific Hitachi Kokusai Electric Company Novellus Systems 1,370.60 1,369.10 1,368.50 1,362.10 1,359.70 1,338.90 1,326.20 1,310.10 1,309.00 1,303.70 1,300.20 1,294.60 1,287.80 1,286.70 1,285.10 1,281.30 1,279.60 1,279.30 1,234.90 1,225.10 1,212.20 1,212.00 1,209.70 1,207.30 1,206.50 1,199.40 1,181.80 1,181.10 1,177.60 1,173.70 28.9 149.8 1 215.8 107.9 27.2 311.9 -16 -139.1 202.8 169.6 7.6 277.3 7 106 104.3 50 43.8 -4.4 249.1 48 117.6 67.2 -619.8 265.3 53.1 406.4 40.4 1.1 151.1 2.11% 10.94% 0.07% 15.84% 7.94% 2.03% 23.52% -1.22% -10.63% 15.56% 13.04% 0.59% 21.53% 0.54% 8.25% 8.14% 3.91% 3.42% -0.36% 20.33% 3.96% 9.70% 5.56% -51.34% 21.99% 4.43% 34.39% 3.42% 0.09% 12.87% 控集成电路配套表（彩电遥控集成电路配套总览表 ） 彩电遥控集成电路配套总览如表1-3所列。

表1-3 遥控集成电路配套总览表

发射器IC M50462AP TC9012F M50560 IX0187PA22 M50119P M50142P SAA3010或SR-5CP 接收器IC CX20106A 微处理器IC M50436-560SP 记忆存储IC M58655 TC89101P M58655 IX0232CE CX7959 MN1228 PCF8581F/ 8582A DS321A505 波段切换IC M54660 LA7910 CD7910 采用机型 金星C542型、北京8343型 长城C532型、快乐HC2104R型 牡丹TC-47型、长虹CJK47H1型 夏普C-2002GS型、金星C4715型 索尼KV-2002GS型、飞跃47C2型 JVC7255型、上海Z656型 环宇54-3RA型、如意SGC-4703F型 金星C513型 环宇51C-4R型、孔雀KQ47-39-3型 TA8141S或CX20106A TMP47433AN CX20106A IX0241CE μPC1373H μPC1373H TDA3048CX20106A TDA232DPC1373H TDA2320 或μ或M50431-101SP IX0237CE CX552-054 MN1482VVZ PCA84C640P-019 M50142P M491 M108L M494B1 TDA4433 μPD1943G或M50560 TC9012F CX20106A M50432-551SP M58655 LA7910 金星C514型、日立CPT-2157SF/DU型 康佳KK-T920CⅢ型、三健NC-T953FSⅢ型 熊猫3631B型、金星C4918型 环宇54C-3RA型 金星C4918型 上海Z647-2A型 厦华XT-5103型 福日HFC-2122型 厦华XT-5622型 OPT601 TMP47C434N TC89101P MN1228AN5071 PCF8582A MN1220 MN1228 M491BTMM842AP MDA2062 或或 MN6014A SAA3010 MN6030 M50142P TC9012F M50560 TC9012F AN5025K CX20106A AN5026K μPC1373H μPC1474HA TBA2800 RC901 MN15245 PCA84C640P-019 MN15245 MN14821JTP TMP47C32N-8094 TVPO-2065-1 LA7910 LA7930 TC9020P LA7910 TMP47C834N-2465 TC89101P 场效应管对照表 （分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数） 本手册由\"场效应管对照表\"和\"外形与管脚排列图\"两部分组成。

在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．\"型号\"栏

表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。 2．\"厂家\"栏

为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：

ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司 ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司 AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司 CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司

DIT 德国DITRATHERM公司 ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司

HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司

CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司

DIR 美国DIRECTED ENERGR公司 LUC 英、德LUCCAS电气股份公司 MAC 美国M/A康姆半导体产品公司 MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司 MAT 日本松下公司

MCR 美国MCRWVE TECH公司 MIC 中国香港微电子股份公司 MIS 德、意MISTRAL公司 MIT 日本三菱公司

MOT 美国莫托罗拉半导体公司 MUL 英国马德拉有限公司 NAS 美、德北美半导体电子公司 NEW 英国新市场晶体管有限公司 NIP 日本日电公司

NJR 日本新日本无线电股份有公司 NSC 美国国家半导体公司 NUC 美国核电子产品公司 OKI 日本冲电气工业公司 OMN 美国OMNIREL公司 OPT 美国OPTEK公司 ORG 日本欧里井电气公司 PHI 荷兰飞利浦公司 POL 美国PORYFET公司 POW 美国何雷克斯公司 PIS 美国普利西产品公司 PTC 美国功率晶体管公司 RAY 美、德雷声半导体公司 REC 美国无线电公司 RET 美国雷蒂肯公司 RFG 美国射频增益公司

RTC 法、德RTC 无线电技术公司 SAK 日本三肯公司 SAM 韩国三星公司 SAN 日本三舍公司 SEL 英国塞米特朗公司

3．\"材料\"栏

IPR 罗、德 I P R S BANEASA公司 ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部 KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司

SGS 法、意电子元件股份公司 SHI 日本芝蒲电气公司 SIE 德国西门子AG公司 SIG 美国西格尼蒂克斯公司 SIL 美、德硅技术公司 SML 美、德塞迈拉布公司 SOL 美、德固体电子公司 SON 日本萦尼公司

SPE 美国空间功率电子学公司 SPR 美国史普拉格公司 SSI 美国固体工业公司 STC 美国硅晶体管公司 STI 美国半导体技术公司 SUP 美国超技术公司

TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司 TEL 德国德律风根电子公司 TES 捷克TESLA公司 THO 法国汤姆逊公司 TIX 美国德州仪器公司 TOG 日本东北金属工业公司 TOS 日本东芝公司 TOY 日本罗姆公司 TRA 美国晶体管有限公司 TRW 英、德TRN半导体公司 UCA 英、德联合碳化物公司电子分部 UNI 美国尤尼特罗德公司 UNR 波兰外资企业公司

WAB 美、德WALBERN器件公司 WES 英国韦斯特科德半导体公司 VAL 德国凡尔伏公司

YAU 日本GENERAL股份公司 ZET 英国XETEX公司

本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。

其英文与中文对照如下： N-FET 硅N沟道场效应晶体管 P-FET 硅P沟道场效应晶体管 GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管 GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管

GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管

SB肖特基势垒栅场效应晶体管

MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明） HEMT 高电子迁移率晶体管

SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管 SIT 静电感应晶体管 IGBT 绝缘栅比极晶体管 ALGaAS 铝家砷

4．\"外形\"栏

根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的\"外形与管脚排列图\"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。注明\"P-DIT\"的为塑料封装双列直插式外形，\"CER-DIP\"的为陶瓷封装双列直插式外形，\"CHIP\"的为小型片状，\"SMD\"或\"SO\"的为表面封装，\"SP\"的为特殊外形，\"LLCC\"为无引线陶瓷片载体，\"WAFER\"的为裸芯片。

5．\"用途与特性\"栏

本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管

其余的英文缩写与中文全称对照如下：

A 宽频带放大 AM 调幅 CC 恒流

CHOP 斩波、限幅 C-MIC 电容话筒专用 D 变频换流 DC 直流 DIFF 差分放大 DUAL 配对管 DUAL-GATE 双栅四极 FM 调频 GEP 互补类型 HA 行输出级

HF 高频放大（射频放大） HG 高跨导 HI-IMP 高输入阻抗 HI-REL 高可靠性 LMP-C 阻抗变换 L 功率放大 MAP 匹配对管 MIN 微型 MIX或M 混频 MW 微波 NF 音频（低频）

技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V(br)ces ;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT

O 振荡 S 开关

SW-REG 开关电源 SYM 对称类 TEMP 温度传感 TR 激励、驱动 TUN 调谐 TV 电视 TC 小型器件标志 UHF 超高频 UNI 一般用途 V 前置/输入级 VA 场输出级 VHF 甚高频 VID 视频 VR 可变电阻 ZF 中放

V-FET V型槽MOSFET MOS-INM MOSFET独立组件 MOS-ARR MOSFET陈列组件 MOS-HBM MOSFET半桥组件 MOS-FBM 全桥组件

MOS-TPBM MOSFET三相桥组件

晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间：\"/\"(斜线)前为导通时间Ton , \"/\"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管\"/\"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, \"/\"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。

6，\" 国内外相似型号\"栏

本栏列出特性相似，可供代换的世界各国场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏（\"型号\"栏）的场效应晶体管。这些管子多数可直接代换，但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同，不能直接代换使用，须加以注意。不过，这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。

这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。其中KOMPL（有时排印为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。对组件注有XN中N 为组件中的器件数目。

国外IC前缀索引（分6页显示245条记录以英文字母开头排序，介绍了国外集成电路前缀） 型号前缀 A A- AC AD AM AM AN AY BA BX CA CA CA CAW CD CD CIC CM CS CT CX CXA CXD CXK DBL 国外生产厂商 INTECH（美国英特奇公司） INTECH（美国英特奇公司） TEXAS INSTRUMENTS[T1] （美国德克萨斯仪器公司） ANALOG DEVICES （美国模拟器件公司） ADVANCED MICRO DEVICES （美国先进微电子器件公司） DATA-INTERSIL （美国戴特-英特锡尔公司 PANASONIC（日本松下电器公司） GENGERAL INSTRUMENTS[G1]（美国通用仪器公司） ROHM （日本东洋电具制作所）（日本罗姆公司） SONY（日本索尼公司） RCA（美国无线电公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） RCA（美国无线电公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） RCA（美国无线电公司） SOLITRON（美国索利特罗器件公司） CHERRY SEMICONDUCTOR（美国切瑞半导体器件公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） SONY（日本索尼公司） SONY（日本索尼公司） SONY（日本索尼公司） SONY（日本索尼公司） DAEWOO（韩国大宇电子公司） 型号举例 A100 A-99 AC5944 AD7118 AM626 AM4902A AN5132 AY3-8118 BA328 BX1303 CA3123 CA3046 CA3089 CAW8033 CD74N00 CD4081BE CM4001AD CS263 CT1010 CX108 CXA1034 CXD1050A CXK1202S DBL1047 DN D„C EA EEA EF EFB EGC ESM F FCM G GD GL GM HA HD PANASONIC（日本松下电器公司） AECO（日本阿伊阔公司） GTE（美国通用电话电子公司微电路部） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） GTE（美国微电路公司） GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] GOLD STAR[韩国金星（高尔达）电子公司] HITACHI（日本日立公司） HITACHI（日本日立公司） DN74LS73P D4C EA3178 EEA5550 FF4443 EFB7510 EGC1237 ESM523 F4001 FCM7040 G157 GD4001B GL1130 GM3043 HA1361 HD74LS02 型号前缀 HEF HM HZ ICL IG IR IX ITT JU KA KB KC KDA KIA KID KM KS L L LA LB LC PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） HITACHI（日本日立公司） INTERSIL（美国英特锡尔公司） SHARP[日本夏普（声宝）公司] ITT（德国ITT半导体公司） SAMSUNG（韩国三星电子公司） SONY（日本索尼公司） SAMSUNG（韩国三星电子公司） KEC（韩国电子公司） SAMSUNG（韩国三星电子公司） SAMSUNG（韩国三星电子公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） SANYO（日本三洋电气公司） SANYO（日本三洋电气公司） SANYO（日本三洋电气公司） SANYO（日本三洋电气公司） 国外生产厂商 HEF4001 HM742114AP ICL8063C IR9393 ITT3064 KA2101 KC583 KDA0313 KIA6268P KM7245P KS5806 L7805ACV LA4102 LB1405 LC4001B 型号举例 LC LF LF LH LH LK LM LM LM LM LM LM LM LM LP LR LSC M M MA GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） SHARP[日本夏普（声宝）公司] SANYO（日本三洋电气公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） SAMSUNG（韩国三星电子公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） SHARP[日本夏普（声宝）公司] SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） MITSUBISHI（日本三菱电机公司） ANALOG SYSTEMS（美国模拟系统公司） LC1352P LF198 LF357T LH2108A LH5003 LM8523 LM1800A LM387 LM1014A LM317 LM2904 LM833 LM386 LP63J LR40992 M192 M51393P MA106 型号前缀 MB MBM MC MC MC MF MK ML ML MLM MM MN MN MP MPS MSM MSM N 国外生产厂商 FUJITSU（日本富士通公司） FUJITSU（日本富士通公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） ANALOG SYSTEMS（美国模拟系统公司） MITSUBISHI（日本三菱电机公司） MOSTEK（美国莫斯特卡公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） MITEL SEMICONDUCTOR（美国国家半导体公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） PANASONIC（日本松下电器公司） MICRO NETWORK（美国微网路公司） MICRO POWER SYSTEMS（美国微功耗系统公司） MICRO POWER SYSTEMS（美国微功耗系统公司） OKI（美国OKI半导体公司） OKI（日本冲电气有限公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） 型号举例 MB74LS00P MBM100470 MC13007 MC3303 MC114 MF1071 MK4116 ML231B ML8804 MLM301AG MM5430 MN3207 MH3000HB MP5071 MPS5003 MSM5525 MSM4001RS N74LS123 NA NC NE NE NE NE NJM OM OM PA QG RC RM RH-IX S S SA SAA SAA SAA SAA SAB SAB SAF NITRON（美国NITRON公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） MULLARD（英国麦拉迪公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） NEW JAPAN RADIO（JRC）（新日本无线电公司） PANASONIC（日本松下电器公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） RAYTHEON（美国雷声公司） RAYTHEON（美国雷声公司） SHARP[日本夏普（声宝）公司] SIEMENS（德国西门子公司） AMERICAN MICROSYSTEMS（美国微系统公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） ITT（德国ITT-半导体公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） NC33 NE540 NE541PHA NE541PHA NE555 NJM387 OM200 OM200 RC4194TK RM5015 RH-IX0212CE S572 S2743 SA532 SAA1045 SAA1070 SAA1025-01 SAA1173 SAB2024 SAB2010 SAF1032 型号前缀 SAK SAS SAS SAS SDA SC SE SE SFC SG SG SG SH SI 国外生产厂商 PHILIPS（荷兰菲利浦公司） HITACHI（日本日立公司） AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） SIEMENS（德国西门子公司） SIEMENS（德国西门子公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） SILICON GENERAL(美国通用硅片公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） SANKEN（日本三肯电子公司） 型号举例 SAK150BT SAS560 SAS6600 SAS5800 SDA5680 SE540 SE5560 SG3731 SG3524 SG2524G SH741 SI-1030 SK SL SN SN SND SO SP STK STR SW T T TA TAA TAA TAA TAA TAA TAA TAA TBA TBA TBA TBA TBA TBA TBA TBA RCA（美国无线电公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） TEXAS INSTRUMENTS（TI）（美国德克萨斯仪器公司） SSS（美国固体科学公司） SIEMENS（德国西门子公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） SANYO（日本三洋电气公司） SANKEN（日本三肯电子公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） TOSHIBA（日本东芝公司） GENERAL INSTRUMENTS（GI）（美国通用仪器公司） TOSHIBA（日本东芝公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SIEMENS（德国西门子公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） MULLARD（英国麦拉迪公司） FAIRCHILD（美国仙童公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） HITACHI（日本日立公司） NEC EIECTRON（日本电气公司） ITT（德ITT半导体公司） AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） SK9199 SL624C SN75172 SN76635 SND5027 SO41E SP8735P STK040A STR4090A SW450 T1400 T1102 TA7628 TAA370 TAA991D TAA611 TAA630 TAA630S TAA570 TAA570 TBA641 TBA700 TBA800 TBA810 TBA810S TBA940 TBA540 TBA810 型号前缀 TBA TBA TBA TBA TBA TBA TC TCA TCA TCA 国外生产厂商 SIEMENS（德国西门子公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） THOMSON-CSF（法国汤姆逊半导体公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） MULLARD（英国麦拉迪公司） TOSHIBA（日本东芝公司） ITT（德国ITT半导体公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） 型号举例 TBA120SA TBA750 TBA970 TBA790NSD TBA570A TBA530 TC9121 TCA270S TCA770 TCA3089 TCA TCA TCA TCA TCA TCA TCA TCA TCM TD TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDA TDB TDC TEA TEA TEK MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） PLESSEY（英国普利西半导体公司） SGS-ATES SEMICONDUCTOR（意大利SGS-亚特斯半导体公司） MULLARD（英国麦拉迪公司） PHILIPS（荷 兰菲利浦公司） AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） SIEMENS（德国西门子公司） TEXAS INSTRUMENTS[TI]（美国德克萨斯仪器公司） SIGNETICS（美国西格尼蒂克公司） SPRAGUE ELECTRIC（美国史普拉格电子公司） MOTOROLA（美国摩托罗拉半导体产品公司） PRO ELECTRON（欧洲电子联盟） NATIONAL SEMICONDUCTOR （美国国家半导体公司） PLESSEY（英国普利西半导体公司） SIEMENS（德国西门子公司） NEC ELECTRON（日本电气公司） AEG-TELEFUNKEN（德国德律风根公司） 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2001年,第4期,类别:校园电子

现今旧电池到处可见，常造成对环境的污染。其实一些旧电池是可利用的。

下面介绍一种对旧电池充电的充电器，它不但对于镍镉电池可用，而且对普通的锰锌电池也可用，充电器电路如下图所示。图中，ＶＴ１可用大功率三极管代替。Ａ、Ｂ间可放１～４节旧电池（注意：旧电池一定不能是漏液或破皮的）。

Ａ、Ｂ间装入电池后，ＬＥＤ就发光，这时调节电位器ＲＰ使发光管ＬＥＤ达到最亮。一般充电时间为１２～１５小时。若电池已充满电量，则ＬＥＤ变暗或熄灭，电池即可取下使用。不可充的旧电池充电时，电流不能过大，一般限制在４０ｍＡ以下，以防电流过大电池发热引起爆炸；可充电池允许的充电电流较大（快充），但应加充电的自停电路，其目的也是为了防止电池过充发热而引起爆炸。

河南 贺纪伟

简易镍镉电池放电器

2002年,第49期,类别:电子制作

镍镉电池在充电之前，要先将电池放电至终止电压１．０Ｖ。这款简易放电器使用效果良好，放电到终止电压自动转入充电状态，可与市售充电器配合使用。

电路见图。精密稳压器ＩＣ１（ＴＬ４３１）输出稳定电压２．５Ｖ，经Ｗ分压后得到基准电压１．０Ｖ加至ＩＣ２的反相端，正常情况下，因反相端电位高于同相端电位，所以ＩＣ２输出低电平，ＢＧ截止，继电器未通电，电池处于充电状态。当按下ＡＮ时，ＩＣ２输出高电平，ＢＧ饱和，ＬＥＤ发光，继电器吸合，电池通过Ｒ３放电，当电池电压下降至１．０Ｖ以下时，ＩＣ２输出低电平，ＢＧ截止，ＬＥＤ熄灭，继电器Ｊ释放，电池开始充电。放电电阻Ｒ３根据放电电池容量合理选择。

浙江 陈涵深

恒流充电器的改进

2002年,第6期,类别:电子制作

《电子报》２００１年第２期第十一版刊登的《简单可靠的恒流充电器》一文，比较实用，但电路尚有不足，需作改进。

原电路中三极管的基极电流是由电源电压和充电电池电压共同决定的，在充电过程中电池电压会逐渐升高，从而引起三极管基极电流逐渐减小，集电极电流也逐渐减小，影响充电电流的恒流效果。如将原电路中三极管的基极偏置

移到７８０５稳压器之后，三极管的基极电流就不受充电电池电压的影响，这样可使三极管的基极电流和集电极电流基本恒定。从而可大大改善充电电流的恒流效果。改进后的电路如图所示，图中增加了ＬＥＤ作充电指示。

山东 许志忠

巧改镍镉电池充电器

2002年,第3期,类别:课堂内外

本人有一只使用十多年的日本产镍镉电池充电器，因好奇将１１０Ｖ／２２０Ｖ电压转换开关打在１１０Ｖ挡处而烧坏。维修时，打开对其电路进行研究发现，其充电电路简单，如图１所示。充电电流的大小由变压器次级电压、Ｒ１、Ｒ２、充电指示灯及变压器内阻等决定，开关ＳＷ２控制充电速度。本机损坏的原因是变压器烧坏。因难以找到合适的变压器更换，遂利用原充电器内部空隙制作一控制电路进行改造，电路如图２。

电路原理。 ＩＣ１ ＬＭ３１７为可调三端稳压器，输出的最低电压为１．２５Ｖ。用四运放ＬＭ３２４作电压比较器，检测电池电压，控制晶体管Ｑ１～Ｑ４的通断，决定是否给电池充电。ＬＥＤ１～ＬＥＤ４为充电指示灯。Ｒ４、Ｒ７、Ｒ１０、Ｒ１３为充电限流电阻，其阻值决定充电电流的大小。Ｒ４、Ｒ７取３０Ω，实测充电电流约１１０ｍＡ，Ｒ１０、Ｒ１３取４７Ω，充电电流为８０ｍＡ。Ｄ３、Ｄ４对ＩＣ１起保护作用。

制作与调整。 根据原充电器内部空间自行设计电路板，待连接无误后，断开ＬＭ３１７输出端的连接，接通电源，调整ＲＰ１电位器，用数字万用表测量，使输出电压为１．４５Ｖ。然后恢复连接，调整即告结束。充电时，当电池电压达到１．４５Ｖ时，充电将自动结束，避免了电池充不足或过充电。该电路可对４节以下的电池充电，改善了原充电器只能充两节电池的不便。该充电器已使用了半年多时间，效果良好。

山东 杨延成

再谈“三星充电器”

2002年,第1期,类别:家电维修

《电子报》２００１年第１４期刊登了《三星充电器的原理与维修》一文，我认为文中有一处值得探讨，如图：变色发光二极管Ｄ８实际上管芯为两个（红、绿）发光二极管反向并联而成，不充电或充电结束时（市场上的三星ＣＤＭＡ手机为锂电池，内有充电控制电路，充电结束时，回路电流为零），没有电流流经Ｒ２０，Ｖ６截止，Ｄ８两端电压右高左低，Ｄ８内部绿色管芯发光；当正常充电时，Ｒ２０上的压降使Ｖ６导通，Ｄ８两端电压左高右低，Ｄ８内部红管芯发光，指示正在充电。

张瑞章

一款自动充电器

2003年,第1期,类别:家电消费

笔者在小商品市场看到一款永保牌自动镍镉电池充电器，以１５元购得。使用数次下来，感觉十分超值。

这款充电器型号为ＲＢ－３３３Ａ，内设四个充电槽，可充１＃、５＃、７＃电池，可单节充也可多节同时充，使用较方便。各电池槽均对应有红色发光二极管指示。将插头插入２２０Ｖ电源后，电源指示灯亮。放入充电电池后，对应发光管即亮。当该电池充足电后，发光管会立刻熄灭以示提醒。该充电器还具有检测真假镍镉电池的功能，如放

入的不是真镍镉电池，则对应发光管不亮，充电器不对其充电，以免发生意外。

本人根据充电器内部实物画出了电路图，其电路十分简洁。使用了一只３Ｗ的变压器进行市电隔离，使用起来安全可靠，长时间使用充电器也只是微热。电路中使用ＨＡ１７３３９完成充电、充满指示以及检测等各项功能。

江苏 郑永结

1.什么是激光

“激光”一词在英文里是“LASER”，是“Light Amplification by Stimu Iatad Emission of Radiation”的缩写，意为“受激发射的辐射光放大”。1964年按照我国著名科学家钱学森建议将“光受激发射”改称“激光”。

激光，是一种崭新的光源，是由激光器产生的一种光。激光是20世纪以来，继原子能、计算机、半导体之后，人类的又一重大发明。激光是在有理论准备和生产实践迫切需要的背景下应运而生的，它一问世，就获得了异乎寻常的飞快发展，激光的发展不仅使古老的光学科学和光学技术获得了新生，而且导致整个一门新兴产业的出现。激光可使人们有效地利用前所未有的先进方法和手段，去获得空前的效益和成果，从而促进了生产力的发展。

那么，激光到底是什么呢？还是让我们来对此认识一番吧！激光虽带有“光”字，然而，它却和普通的光截然不同。那么，激光和普通光到底有什么不同呢？

第一，激光是一种颜色最单纯的光。太阳光和电灯光看起来似乎是白色的，但当让它通过一块三棱镜的时候，就可以看到红、橙、黄、绿、蓝、青、紫七种颜色的光，其实，还含有我们看不见的红外光和紫外光。激光的颜色非常单纯，而且只向着一个方向发光，亮度极高。

第二，激光的方向性好。在发射方向的空间内光能量高度集中，所以激光的亮度比普通光的亮度高千万倍，甚至亿万倍。而且，由于激光可以控制，使光能量不仅在空间上高度集中，同时在时间上也高度集中，因而可以在一瞬间产生出巨大的光热，成为无坚不摧的强大光束。平时，我们见到的灯光，都是向四面八方发光，就好像电影院散场后，大家前前后后地向着四面八方以不同步伐走出来。打开室内的电灯，整个房间都照亮了。又如，打开手电筒，在发出的部位，直径不过3～5厘米，待射到几米之外后，就扩展成一个很大的光圈。这说明，光在传播中发散了。

然而，激光却不同，它是大量原子由于受激辐射所产生的发光行为。激光在传播中始终像一条笔直的细线，发散的角度

极小，一束激光射到38万千米外的月球上，光圈的直径充其量只有2千米左右。就好比电影院散场后，大家排着队朝着一个方向，迈着相同大小的步伐，随着“一、二、一”的口令，整整齐齐地前进。

第三，激光亮度最高。太阳是人类共有的自然光源，整个世界沐浴在明亮的阳光之下。太阳表面的亮度比蜡烛大30万倍，比白炽灯大几百倍。激光的出现，更是光源亮度上的一次惊人的飞跃。

一台普通的激光器的输出亮度，比太阳表面的亮度大10亿倍。从地球照到月亮上在反射回来也不成问题。可见激光是当今世界上高亮度的光源。

第四，激光还可以具有很大的能量，用它可以容易地在钢板上打洞或切割。在工业生产中，利用激光高亮度特点已成功地进行了激光打孔、切割和焊接。在医学上、利用激光的高能量可使剥离视网膜凝结和进行外科手术。在测绘方面，可以进行地球到月球之间距离的测量和卫星大地测量。在军事领域，激光能量提高，可以制成摧毁敌机和导弹的光武器。

2.激光器

激光是在1960年正式问世的。但是，激光的历史却已有100多年。确切地说，远在1893年，在波尔多一所

中学任教的物理教师布卢什就已经指出，两面靠近和平行镜子之间反射的黄钠光线随着两面镜子之间距离的变化而变化。他虽然不能解释这一点，但为未来发明激光发现了一个极为重要的现象。

1917年爱因斯坦提出“受激辐射”的概念，奠定了激光的理论基础。1958年美国科学家肖洛和汤斯发现了一种奇怪的现象：当他们将闪光灯泡所发射的光照在一种稀土晶体上时，晶体的分子会发出鲜艳的、始终会聚在一起的强光。由此他们提出了“激光原理”，受激辐射可以得到一种单色性、亮度又很高的新型光源。1958年，贝尔实验室的汤斯和肖洛发表了关于激光器的经典论文，奠定了激光发展的基础。1960年，美国人梅曼(T. H. Maiman)发明了世界上第一台红宝石激光器。梅曼利用红宝石晶体做发光材料，用发光度很高的脉冲氙灯做激发光源，获得了人类有史以来的第一束激光。1965年，第一台可产生大功率激光的器件--二氧化碳激光器诞生。1967年，第一台Ｘ射线激光器研制成功。1997年，美国麻省理工学院的研究人员研制出第一台原子激光器。

汤斯

梅曼

激光器的种类很多，可分为固体、气体、液体、半导体和染料等五种类型：

（1）固体激光器一般小而坚固，脉冲辐射功率较高，应用范围较广泛。

（2）半导体激光器体积小、重量轻、寿命长、结构简单，特别适于在飞机、军舰、车辆和宇宙飞船上使用。半导体激光器可以通过外加的电场、磁场、温度、压力等改变激光的波长，能将电能直接转换为激光能，所以发展迅速。

（3）气体激光器以气体为工作物质，单色性和相干性较好，激光波长可达数千种，应用广泛。气体激光器结构简单、造价低廉、操作方便。在工农业、医学、精密测量、全息技术等方面应用广泛。气体激光器有电能、热能、化学能、光能、核能等多种激励方式。

（4）以液体染料为工作物质的染料激光器于1966年问世，广泛应用于各种科学研究领域。现在已发现的能产生激光的染料，大约在500种左右。这些染料可以溶于酒精、苯、丙酮、水或其他溶液。它们还可以包含在有机塑料中

以固态出现，或升华为蒸汽，以气态形式出现。所以染料激光器也称为“液体

激光器”。染料激光器的突出特点是波长连续可调。燃料激光器种类繁多，价光化学、医疗和农业。

（5）红外激光器已有多种类型，应用范围广泛，它是一种新型的红外辐射源，特点是辐射强度高、单色性好、相干性好、方向性强。

（6）X射线激光器在科研和军事上有重要价值，应用于激光反导弹武器中

具有优势；生物学家用X射线激光能够研究活组织中的分子结构或详细了解细胞机能;用X射线激光拍摄分子结构的照片,所得到的生物分子像的对比度很高。

（7）化学激光器 有些化学反应产生足够多的高能原子，就可以释放出大能量，可用来产生激光作用。

（8）自由电子激光器 这类激光器比其他类型更适于产生很大功率的辐射。它的工作机制与众不同，它从加速器中获得几千万伏高能调整电子束，经周期

磁场，形成不同能态的能级，产生受激辐射。

格低廉，效率高，输出功率可与气体和固体激光器相媲美，应用于分光光谱、

世界第一台自由电子激光器于1977年问世，中国第一台自由电子激光器于1985年问世。自由电子激光器的能

量是由外场加速后的自由电子的动能转换而成的。其输出功率可达很高水平，在加工、反导、雷达、通信、光化学等方面都有很大的用途，所以它一问世就受到各国科技界的重视。

美国电话电报公司贝尔实验室的研究人员于1992年研制出当时世界上最小的固体激光器它在扫描电子显微镜

下看起来就像一个个微型图钉，其直径只有2至10微米。在一个大头针的针头上，可以装下1万个这样的新型半导体激光器。1990年美国研制成功畸变量子阱激光器，开关速度达280亿次/秒，这是激光器有史以来达到的最高速度。

1992年日本推出一种高输出半导体激光器，特点是服务寿命长，在室温下可连续工作5000小时。

贝尔实验室的科学家研制了红宝石脉塞放大器

3.由激光发展的新学科

激光的出现带动了多学科的发展，如量子光学、量子电子学、激光光谱学、非线性光学、集成光学、海洋光学等等。这里我们只列举一些与日常生活相关的激光应用科学的发展。

(1)激光光盘制作技术

1877年世界上第一台留声机在爱迪生的手上诞生了！它是声像技术发展的开端。人们并不满足于唱机，20世纪40年代初，德国研制出具有高频偏磁和良好机械传输性能的磁带录音机，开拓

出记录声音的新渠道。到1955年，美国无线电公司宣布实验成功磁带彩色录像机，能把自己和大自然的形像记录下来，它揭开了声像技术史的新页，打开了现代声像技术发展的大门和通路。3年后，美国安皮克公司生产出商用彩色录像机。1970年，英国德卡公司研制出第一台黑白电视录像盘。两年后，荷兰菲利浦公司研制出用激光器拾音的彩色电视录像盘。这就是现代激光光盘的诞生！

激光光盘的诞生，激光在音响设备上的应用，是音响上的一次革命。人们利用激光，以“光针”代替钢针、宝石针，制成激光唱片。激光唱片不仅能够录音，而且能够录像。激光唱片用来记录、存储声音和图像，可以说，这是声像技术上的一次革命，一个伟大的创举。

自从激光光盘出现以来，人们充分挖掘它的潜力，创造多种功能的激光唱机和唱片，1983年，美国和日本分别研制成崭新的数

字录音唱片。这种唱片完全摆脱了传统唱片的制作和重播方式，

为唱片开辟了一个全新的境界。这种数字唱片，在存储技术等方

面都有重要的用途。

激光光盘技术发展很快，各种功能、各种用途的新型唱机、唱片层出不穷。于是，激光光盘和电子计算机技术、声像技术联手，踏入文献存储和检索的领域。信息存储在光盘上，快速检索、查阅和打印出所需要的资料。现在光盘书籍已进入家庭生活。

(2)逼真的照片

现代的全息照相，伴随着激光技术而获得新生和发展，为我们提供了一种捕捉景物一切可见信息的途径，可以得到极其逼真的立体显示的全息照片。用全息照相方法所得到的照片，在适当的光照下，原来的景物就会再现在我们的面前。由于全息照片记录了景物光波的全部信息，所以再现出来的景象和原来的一模一样。全息照片再现出来的景象是如此逼真：使人产生身临其境之感，以致想走过去仔细看看，想伸出手去摸一摸。全息照片是真正的立体照片。用全息照相方法所得到的照片，经得起“破坏性的打击”。全息照片的每一部分，不论有多大，都能再现出原来的整个景象，这就是说，可以将全息照片分成若干小块，每一小块都可以完整地再现出原来的景象。因此，如果全息照片被打破了，撕碎了，或者在某个案件中捕获到的是毁坏了的全息照片的残渣，总可以从一小块碎片重新复制出原样的照片来。 (3)激光医学

激光医学是激光技术的新领域，1960年世界上第一台红宝石激光器问世后，1961年即用于治疗视网膜脱落，1963年激光光刀用于肿瘤切割。70年代医用激光治疗机在临床各科得到广泛应用。1981年联合国卫生组织正式宣布激光医学为医学的一个新分支。激光以其特有的优越性能解决了许多传统

医学的难题。激光治疗最早用于眼科，对视网膜剥离眼底血管病变、虹膜切

开、青光眼等一大批眼科疾患均能用激光治疗。激光手术刀具有术中出血少，可减少细菌感染等优点。激光与中医针灸术结合而形成的“光针”，对镇痛、哮喘、遗尿、高血压等有一定疗效。激光技术为现代医学提供了一种“神力”，能够治疗内科、外科、眼科、皮肤、肿瘤和耳鼻喉科的100多种疾病。激光己成为有益于人类的幸福之光，生命之光。

(4)光纤通信

光导纤维传光是利用在光导纤维中传输光线在界面上发生全反射来实现的。这种透明细长纤维传光现象很早就为希腊玻璃工人所发现。1870年英国人廷德尔首先通过实验观察到光沿弯曲水柱传播的现象。1929年美国人哈塞尔制成石英纤维，但由于质量差，没能实际应用。50年代美国人卡帕尼和荷兰人冯西尔首先制成玻璃芯，解决了光学绝缘的难题。激光器的问世，纤维光学才真正得到飞速发展。1973年第一个光纤通信实验系统在美国贝尔实验室建成。光纤通信进入了实际应用。现在以光导纤维为传导介质的传

感技术已在医学、物理学、化学、通信、纺织、航空航天、电气、汽车、自动化等几乎所有工程领域和基础实验科学领域得到广泛使用。

可视电话也是靠大容量的光纤通信系统实现的。在通话时，不但彼此能看到对方的音容笑貌，还能相互展示手中的照片及其他东西。亲人遥隔千万里，就像相聚在一起一样。可视电话还可以用于电话会议、医疗会诊、指挥

生产等。

光纤通信在有线广播电视方面也大有可为。利用光缆构成电视网，能够传送几百几千套电视，使人们可以随意选择收看各种各样的电视节目，而且这种电视不受地形地物障碍的影响。此外，还可以迅速及时地传送电视报纸，可以进行电视教学。

（5）艺术殿堂升光辉

卡拉OK音乐厅、镭射舞厅有一位极其重要的“配角”——激光，运用激光手段，增添信息，拓展时空，使丰富多采的节目更加令人回味无穷，可以说，艺术的成功，也与激光作为“配角”是分不开的，最常用的是能够产生红绿蓝3色的离子激光器。

目前，已出现独具特色的光子乐器，它和电子乐器相比也毫不逊色。激光光纤吉他，光导纤维作为吉他的琴弦，通过光信号的变化，可以演奏出极其美妙的乐曲。激光竖琴，更是别具一格，琴弦是由一台氪激光器和两台氩激光器产生的一排绚丽多采的竖直光束。琴师“拨奏”激光竖琴的“琴弦”——有节律地遮断光束，启动琴中的光电传感器，于是便奏出令人叫绝的乐曲。光子在音乐领域里的贡献远不止这些，从发展来看，光子乐器虽然是后起之秀，却大有后来居上之势。

激光不但是医生手中的手术刀，还是画家和雕刻家手中的光笔和雕刻刀。艺术家们利用激光束这得心应手的画笔和刻刀，在各种纸板、木板、石板、玻璃板和金属板上进行绘画和雕刻创作，可以借助于激光束的强度、聚焦和散焦的变化，创作出完美的独具风格和特色的作品来；还可以借助于计算机辅助设计技术，对所创作的作品进行修改。此外，激光还可以用来修复名画，使已经黯然的画面恢复其青春的光彩。

（6）五谷丰登也靠它

人类要生存，第一需要是粮食。播下什么种子，就会有什么收获。现在，在农作物品种改良和新品种培育方面，人们利用激 光处理种子，收到了明显的增产效果。人们通过对激光育种的生物学研究，发现在特定激光辐照作用下，产生光物理、光化学和光生物学效应，就会出现“染色体”变异，于是导致遗传性状的改变，而产生出新的品 种。

人们还用激光适当地照射蚕豆、玉米、萝卜、黄瓜和西红柿的种子，加速种子发芽，提高种子出芽率，促进农作物生长，使农作物早熟、抗病、增产。

人们利用不同波长、不同剂量的激光进行试验，深入研究绿色植物光合作用的基本机理，深入研究从发芽直到成熟结籽的基本过程。人们采取适当波长和适当剂量的激光照射正在生长的农作物，促进农作物的光合作用，从而提高农作物的产量和品质。例如，用激光照射黄瓜秧和西红柿秧，秧子上的花数和果数都有增加，产量得到提高，果实里的糖分和维生素含量增加，品质显著改善。

人们还利用激光研究农作物病虫害的防治。激光成为人们捕杀害虫和消灭病虫害的得力助手。人们利用激光向杂草开刀，除掉杂草，为禾苗出气，为禾苗助长。采用激光灭虫除草方法，比采取化学灭虫除草优越，避免了化学药物对大气、水源和土地的污染，而且不污染粮食、蔬菜和水果。激光是一种高效而清洁的灭虫除草方法。 激光在农副产品的储藏和保鲜方面，在对农作物收获进行预报和估产及其他方面，都有用武之地。激光在实现科学种田和农业现代化方面，将发挥越来越大的作用。

（7）激光在环境方面的应用(laser)

利用激光绘制灾害图。激光测距仪向目标发射一束对人眼安全的激光束，以测量目标的距离和方位角。照到目标后再返回激光器，附在激光器上的计算机随即进行必要的运算。若将该激光测距仪跟一台全球定位系统相联，卫星接收器就会随时告诉操作人员所在的位置。系统操作人员可将激光器瞄准风暴灾害处，激光器将距离和范围内的信息送到全球定位系统，绘出灾害图，然后可迅速派遣有关人员前往救灾。另一套运行系统同记录计算机相连，操作人员能飞到邻域上空，将激光器对淮受灾地面建筑物，迅速绘出地图，可估计受损财产的价值。

激光检测大气含量，采用柏林自由大学的激光雷达对城市烟雾或酸雨进行了三维监视，已经测量出氧化亚氮、二氧化氮、二氧化硫，以及臭氧含量的两维和三维图。已经成功地绘出行星边界层海拔4km上下的水蒸气轮廓图，满足了气象应用的需要。

4.激光技术诱人的前景

(1)创造一个新太阳

做饭、取暖要烧煤，汽车、飞机要用油，照明、家电设备和开动机器都需要电、煤、石油、天然气等矿物燃料及各种发电手段，热电、水电、核电是人类生存和社会

进步不可缺少的能源。

原子能是最富魅力的新能源。原子能的利用，可以分为两类：一类是利用中子轰击铀原子核，使铀核分裂成为两块，释放出裂变能；另一类是使氢的两种同位素氘和

氚核聚合在一起，释放出聚变能。核聚变反应释放出的能量要比核裂变反应释放出的能量大得多。核裂变反应可以用于制造原子弹，也可以用于建造核电站。

核聚变并不陌生：氢弹爆炸就是一种核聚变反应。但是，氢弹爆炸的巨大能量是在一瞬间释放出来的。氢弹爆炸式的核聚变反应，简直就是无羁的“核野马”，一发而不可收拾。这种核聚变产生的能量是人力无法控制、无法应用的。那么，怎样才能使“核野马”驯服，使它在人的控制下老老实实地工作呢？科学家们的目标是：实现受控核聚变。

用什么来“点火”——怎样才能满足受控热核聚变的条件呢？人们想到了强磁场、电子束、离子束等种种办法，但最有希望的要数高功率激光了。高功率激光技术是实现激光受控核聚变的关键，各国科学家都在这方面倾注全力攻坚。

受控核聚变一旦实现将首先用于建造新型的聚变类型的核电站。 激光受控核聚变将是人类的既安全又清洁、取不尽用不完的新能源。它的实现，等于人类创造出一个新太阳！

(2)迎接光子时代的到来

自从世界上第一台激光器问世至今，激光已涉足于许多科学学科和技术领域，并分化出不少重要的分支学科和交叉学科，激光技术、纤维光学和集成光学，也打开了光计算机的信息传输、存储和处理的时代的大门。

光计算机给人们带来了美好的希望。电子计算机发展到今日，却始终没有脱离电子学的范畴，运算速度和存储容量均已不能满足突飞猛进发展的科学技术的需要。集成光学和激光技术为研制运算速度极快、存储容量极大、使用稳定可靠的光计算机提供了基础条件。光模拟计算机在几分钟里就可以完成电子计算机几天才能完成的工作量。现在，科学家们正在向特高运算速度和特大信息存储量的光数字计算机进攻。 纤维光学是研究光学纤维传光理论及制造的一门新学科。光学纤维已发展成为一种新型的光学元件，应用于光纤通信、光学窥视、某些特殊激光器和新型光学系统之

中。光纤通信具有容量巨大、抗干扰能力强、保密性好、节省有色金属和适用范围广泛等特点，逐步发展成为大容量、远距离通信的重要手段，必定成为未来通信事业的主角。

光子学作为一门新学科必将迅速发展起来，同时，还将促进其他学科的发展。一些新学科将不断涌现出来，如光子物理学、光子化学、光子生物学、光子医学等等。 光子科学技术不断出现的新成就，对现代化社会的影响是无法估量的。到那时，天上飞的是用光子充填燃料的宇航飞机，地下跑的是光子发动机驱动的各种车辆，家庭里用的是多种多样的光子器具，军队装备的是各式各样的光子武器……如同今天的煤、油、电一样，光子科学技术将渗透到整个社会肌体的各个部位，成为人类生产和生活中不可缺少的东西。

未来的家庭，将是光子化的家庭。在你的家庭里，你只要按动那台用集成光学元件制造的终端设备，激光信号就会通过光学纤维构成的光缆网络联系于办公室、商场、电台……你可以通过面前的荧光屏，同千里之外的亲人会晤，和办公室里的同事交谈，跟商场里的售货员定货，向图书馆索取有用的资料，以及阅读新闻、科技情报。在你的家庭里，你的光智能计算机是你的忠实仆人，控制着空调设备调节室温，控制家用电器来烹调食物、开窗关门、清扫房间。茶余饭后，你坐在舒适的沙发上，可以用手中的微型光控器，打开面前的光视机，观看光纤传来的丰富多采的全息彩色光机节目，那是立体的景象，真实的景象！到那时，电子将让位给光子，光子将成为人类的第一助手，处处为人类服务。人类将生活在一个崭新的光子时代里！

(3)太空城里创大业

“嫦娥奔月”、“牛郎织女”、“孙悟空大闹天宫”……在我国，流传着多少关于“天宫”的神话故事；现代的中外科幻小说或电视剧目，更是不乏有关太空城市与生活的描写。当然，人类是不会停留在神话故事、科学幻想里面的。人类正在创造条件，现代科学技术的各个领域，正在突飞猛进地发展，人类终有一天会建立起“太空

城”、“太空村”，到那里去进行科学实验，制造新材料和新产品。

因为太空里有地球上所不具备的或很难获得的实验条件，如低温、真空、失重和无菌等。在那样的特殊条件下，一些物质将具有优异的特性，一些实验会呈现出异乎寻常的现象，因而给科学技术带来新的突破，使人类获得新的生产力。

人们在“太空城”里工作和生活，第一需要是氧气，怎么样把氧气输送到遥远的“太空城”里去呢？我们看到，自来水管把水送到千家万户，煤气管道将煤气送进每家每户。那么，采用什么管能把氧气或其他气体从地球输送到月球的或其他的“太空城”、“太空村”里去呢？科学家认为，将来，激光有可能成为行星距离间输送氧气 及其他气体的有效管道。这可真是科学发达，无奇不有，光还能成为“管道”！ 到太空去工作和生活，这一天已经为期不远了。到那时，人们在“太空城”里办工厂，在“大空村”里种果菜，好一派生机盎然的喜人景象。

(4)未来的宇宙飞船

对未来的宇宙飞船，科学家们作出种种设想，如量子飞船、光子飞船、原子能飞船、太阳帆飞船、等离子体飞船等。太阳帆飞船是麦克斯韦提出的预言，它是以太阳 的压力为动力，太阳光线就好像“宇宙风”一样，推动着宇宙飞船的“船帆”而使飞船前进。

自从方向性极强的激光问世以后，科学家们又预言：激光可以作为未来宇宙飞船动力。如果太阳光线能够给宇宙空间里自由飘荡的物体加速的话，那么，激光这样强大的辐射光束也完全可能给宇宙飞船加速。科学家们认为，实现激光动力飞船的可能性，不会比实现前面设想的种种飞船的可能性小。从物理学的观点来看，各种发动机无非是利用反作用力，激光发动机的反作用力能由具有质量的光子产生。

美国着手研究以激光为动力，推进航天飞行器的飞行，已经取得卓有成效的结果。激光航天飞行器实际上就是激光飞船，它以激光为动力往返于地面与空间轨道站飞行，来回运送人员和器材，实现空间研究和制造。它起飞像火箭，垂直而起；返回大气层

时又像飞机一样，滑翔到地面作水平着陆。它不需要火箭发射，也不使用火箭燃料，费用低廉，其发射费用仅为航天飞机的0.1％，每公斤有效载荷6-9美元。

5.同激光有关的诺贝尔物理奖

巴索夫（Basov，Nikolay Gennadiyevich，1922~）前苏联物理学家，因对量子电子学的研究，导致微波激射器和激光器的发展，与普罗霍罗夫和美国的汤斯共获1964年诺贝尔物理学奖金。他生于前苏联的沃罗涅日，毕业于莫斯科工程物理学院，获前苏联科学院列别捷夫物理研究所博士学位。从1950年起一直在前苏联科学院列别捷夫物理研究所工作。1954年他与普罗

霍罗夫合作，制出一台氨分子束量子振荡器。他提出建立不平衡量子系统的

三能级方法，这种方法可放大激发辐射。这个方法立即被广泛应用于无线电光波段的量子振荡器和放大器上。这些器件分别产生单色、平行、相干的微

波束和光束。1958年，巴索夫又提出利用半导体制造激光器的可能性，后来在1960~1965年间，实现了p-n结、电子束和光泵激发各种类型的激光器。1968年，巴索夫还利用大功率激光器产生了热核反应。

汤斯（Townes,Charles Hard ，1915~）美国物理学家。因对量子电子学的研究和发明微波激射器，获1964年诺贝尔物理学奖金。他生于美国南卡罗来州的格林维尔，毕业于格林维尔的富尔曼大学，获加州理工学院哲学博士学位。1939年在贝尔电话实验室作技术工作，1948年在哥伦比亚大学任教。3年后他产生微波激射的想法，汤斯用氨气作放大介质，于1953年12月造出

第一台微波激射器。这一研究导致梅曼于1960年获得激光。1967年任加里

福尼亚大学教授，在该校开创了射电和红外天文学计划，结果在恒星际空间发现复杂的分子（氨和水）。

普罗霍罗夫（Prokhorov，Aleksandr Mikhaylovich ，1916~）澳大利亚-前苏联物理学家，因对量子电子学的基本研究导致微波激射器和激光器的发展，获1964年诺贝尔物理学奖金。他生于澳大利亚阿特顿，毕业于列宁格

勒大学，获莫斯科列别捷夫物理研究所博士学位，并任该所高级研究员。1953 年和巴索夫共同提出放大并发射同相位、同波长的平行电磁波的微波激射器原理，并制成小巧的红宝石激光器，它发出的一束明亮的红色光，其纯净、

单色性、相干性和高强度都十分理想。

拉姆齐（Ramsey，Norman F，1915~）美国物理学家。因发展了原子精确光谱学和发明了分离振荡场方法以及将其用于氢微波激射器和原子钟而获得1989年诺贝尔物理学奖金。他生于美国华盛顿，毕业于哥伦比亚大学，获得该校的物理学博士学位。1942~1947年在哥伦比亚大学任教；1947年以后一直在哈佛大学任教。拉姆齐于二战后发明了分离振荡场方法。这一发明

是由于他在用分子束磁共振方法测量核磁矩时，想寻求一个比用拉比（rabi）

装置测得更准确的方法而创造的。分离振荡方法除了可以用于研究兰姆位移、拉摩运动以外，它还可大大提高原子钟的准确性。目前，各种类型的原

子钟纷纷问世，其中铯原子钟的准确度已达到1013；1960年与他人共同制成氢微波激射器，这是频率稳定性最好的激射器，长稳达2×10天。

朱棣文（1948~），美籍华裔物理学家。他出生于密苏里州圣路易斯，获加州大学伯克利分校物理学博士，1983年起任美国电话电报公司贝尔实验室量子电子学研究部主任，他是量子光学的权威，朱棣文是激光制冷和捕捉气

体原子方法的创立者。他于1985年利用互相垂直的三对激光束，在其交会区域中使原子受到六束驻波场的作用而形成对原子运动的粘滞性约束，称为“光学粘胶”。利用“光学粘胶”能有效地将微量气体束缚在一定空间，为

进一步冷却原子更接近绝对零度奠定了坚实的基础。

科昂-塔努吉（Cloder Cohen Tanuky，1933~）法国物理学家，1997年诺贝尔物理奖得主。他利用“磁阱”技术，成功地将原子温度降低到了与绝对零度只相差百万分之一度的程度。从理论上讲，如果能使激光场作用下的原子处

于相干捕获态，处于这种状态原子的速度将会减少到极低。他就是基于这个

观点提出了原子冷却方案，用这种方法冷却原子，速度就能无限趋近于零。

菲利普斯（Felipus，William，1948~）美国物理学家，他现为美国马里兰州的国家标准与技术研究所教授。1987年他运用“磁阱”技术，改进了原子在激光照射下温度骤降的方法，使冷却温度进一步降低。其成果不仅可用来制造精密度更高的原子钟，以满足太空导航和精确定位的需要，更可在引力的高精度测量和原子激光器设计上发挥重要作用。菲利普斯因此获得1997年诺贝尔物理奖。