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使用MOS装置对寄生电容的中和

2020-12-05 来源:客趣旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(21)申请号 CN201510272118.4 (22)申请日 2015.05.25

(71)申请人 安华高科技通用IP(新加坡)公司

地址 新加坡新加坡市

(10)申请公布号 CN105281678B

(43)申请公布日 2018.04.24

(72)发明人 A·萨马维达姆;D·博克尔曼

(74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人 林斯凯

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

使用MOS装置对寄生电容的中和

(57)摘要

本发明涉及使用MOS装置对寄生电容

的中和。一种设备包括:放大器,所述放大器包括具有寄生栅极到漏极电容的至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管;及至少一个MOS中和装置,其具有经配置以补偿所述至少一个MOS晶体管的所述寄生栅极到漏极电容的中和电容。 法律状态

法律状态公告日

2016-01-27 2016-01-27

公开 公开

法律状态信息

公开 公开

法律状态

法律状态公告日

2016-01-27 2017-03-29 2017-03-29 2017-03-29 2018-04-24 2018-04-24 2018-11-09

公开

法律状态信息

公开

实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权

专利申请权、专利权的转移

权利要求说明书

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说明书

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