专利名称：一种半导体超结功率器件专利类型：发明专利
发明人：刘伟,刘磊,毛振东,龚轶申请号：CN201711489817.X申请日：20171229公开号：CN109994538A公开日：20190709
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体超结功率器件，包括半导体衬底，在所述半导体衬底上形成的超结MOSFET单元和IGBT结构，IGBT结构的集电极区从半导体衬底的顶部引出接集电极。本发明的一种半导体超结功率器件能够实现电子和空穴双载流子导电，提高半导体超结功率器件的输出电流密度。
申请人：苏州东微半导体有限公司
地址：211103 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C102-1
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：孟金喆
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容