专利名称：基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺专利类型：发明专利
发明人：姜丽丽,路忠林,盛雯婷,张凤鸣申请号：CN201210187707.9申请日：20120608公开号：CN102703987A公开日：20121003
摘要：本发明公开了一种基于多晶硅中金属杂质去除的低温磷吸杂扩散工艺，主要包括以下步骤：（1）进舟；（2）升温稳定；（3）第一步沉积；（4）第二步沉积；（5）推进；（6）吸杂；（7）低温再次推进；（8）降温退火出舟。本发明通过太阳能行业生产过程中多晶硅扩散工艺的创新来实现低少子寿命B类多晶硅片中金属离子的去除和硅片晶体结构的改善，提高地少子寿命B类片所产出的太阳能电池光电转换效率，使得此类硅片少子寿命平均值不低于12μs，并且使该类硅片生产的电池效率比使用产线正常工艺生所产生电池的电池效率高0.2%。
申请人：天威新能源控股有限公司,保定天威集团有限公司
地址：610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号
国籍：CN
代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)
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