专利名称：存储器结构专利类型：发明专利发明人：赖二琨,龙翔澜申请号：CN201610124538.2申请日：20160304公开号：CN107086269A公开日：20170822
摘要：本发明公开了一种存储器结构，包括相变材料层、第一电极、第二电极、及导电间隙壁。第二电极与第一电极分别电性连接至相变材料层的上表面与下表面。导电间隙壁彼此分开且位于相变材料层的侧表面上。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
国籍：TW
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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