专利名称：芯片拼接方法专利类型：发明专利
发明人：郑鸿柱,何洪波,赵彬,王剑申请号：CN201910529990.0申请日：20190619公开号：CN110471259A公开日：20191119
摘要：本发明公开了一种芯片拼接方法，包括步骤：步骤一、将芯片设计版图分割成多个拼接设计版图。步骤二、根据拼接设计版图设计光罩版图，光罩版图中包括多个光罩拼接版图，每一个光罩拼接版图和一种拼接设计版图相对应；在相邻光罩拼接版图的拼接位置处设置有不透光区域和对应的拼接缝套刻标记，拼接缝套刻标记至少包括成对的两个。步骤三、采用光罩版图进行曝光在晶圆上形成芯片实际版图，芯片实际版图由曝光形成的拼接实际版图拼接而成，在各相邻的拼接实际版图的拼接位置处，对应的成对的两个拼接缝套刻标记经过两次曝光后套准在一起并用于对拼接进行套刻对准。本发明能对芯片各部分的拼接位置处的对准精度进行精确控制，符合大规模量产的需求。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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