专利名称：晶体硅太阳电池接触电阻率测量装置专利类型：实用新型专利发明人：沈辉,林荣超,曾飞,朱微桦申请号：CN201120039144.X申请日：20110215公开号：CN202305597U公开日：20120704
摘要：本实用新型公开一种晶体硅太阳电池接触电阻率测量装置，包括样品台、横向调节系统、纵向调节板、探针安装板和锁紧系统，其特征是探针安装板上设有探针孔，探针孔呈纵向排列，在探针孔内安装探针，探针安装板由锁紧系统固定，通过横向调节系统和纵向调节板与样品台连接。本实用新型功能独特，测量时无须移动电池片，通过调节横向调节杆和纵向调节板，可将探针安装板移动至样品台任一位置，然后用锁紧系统将探针安装板锁定，既可实现对样品任意位置的测量，又能确保测量的稳定性和准确性。
申请人：中山大学
地址：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
国籍：CN
代理机构：广州市一新专利商标事务所有限公司
代理人：陈振华
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