CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

谢莲革;沃银花;汪建勋;沈鸽;翁文剑;刘起英;韩高荣

【期刊名称】《浙江大学学报（工学版）》 【年(卷),期】2005(039)011

【摘 要】采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因.

【总页数】5页(P1824-1828)

【作 者】谢莲革;沃银花;汪建勋;沈鸽;翁文剑;刘起英;韩高荣

【作者单位】浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,蓝星新材料技术有限公司,浙江,杭州,310013;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 【正文语种】中 文

【中图分类】TB43;TB34 【相关文献】

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