（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201710369411.1 （22）申请日 2017.05.23
（71）申请人 上海凯世通半导体股份有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼单元1
（10）申请公布号 CN108933192A
（43）申请公布日 2018.12.04
（72）发明人 何川;金光耀;陈炯
（74）专利代理机构 上海弼兴律师事务所
代理人 薛琦
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
磁存储器件的制作方法
（57）摘要
本发明公开了一种存储器件的制作方法，
包括：提供一叠层，包括第一电极层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和第二电极层；形成掩膜；采用惰性元素离子束轰击去除该预定区域的第一电极层和第一磁性层；钝化处理非预定区域的第一电极层的侧部和第一磁性层侧部以去除部分侧部的第一电极层和第一磁性层并在侧部形成第一钝化层；采用惰性元素离子束轰击该预定区域以去除该预定区域的隧穿层、第二磁性层和第
二电极层。本发明在进一步刻蚀隧穿层和第二磁性层、第二电极之前，在第一磁性层和第一电极的侧部利用化学反应形成钝化层并去除损伤层，以避免第一磁性层和第一电极被后续轰击出的导电材料溅射到，从而致使两个磁性层和两个电极造成连接。
法律状态
法律状态公告日2018-12-04 2018-12-04 2018-12-28
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
磁存储器件的制作方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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