专利名称：正面电极结构及具有其的晶硅太阳能电池专利类型：实用新型专利
发明人：孙小娟,王静,张东升,李翠双,赵学玲申请号：CN201220455261.9申请日：20120907公开号：CN202749382U公开日：20130220
摘要：本实用新型提供了一种晶硅太阳能电池的正面电极结构及具有其的晶硅太阳能电池。该正面电极结构包括相互垂直的多条主栅和多条副栅，任意一条主栅包括：相互平行的两条主栅边线，两端分别延伸至正面电极的边缘；一个或多个栅条区，设置在两条主栅边线之间且沿主栅的延伸方向排布，栅条区包括：浆料印刷区；多个第一矩形镂空区，沿主栅的延伸方向相互间隔地设置在浆料印刷区中，第一矩形镂空区的宽沿与主栅边线平行的方向延伸，且第一矩形镂空区宽度a占主栅的长度b的百分比为0.03~0.7%。本实用新型的正面电极结构的镂空区，内部不需要印刷银浆，减少了银浆的用量，降低了成本，减小了主栅覆盖面积，减小了正面电极的遮光率、接触电阻。
申请人：英利能源(中国)有限公司
地址：071051 河北省保定市朝阳北大街3399号
国籍：CN
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容